[发明专利]基于PCB的射频功率封装窗口框架

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

含铜基板，其具有管芯附着区域和周边区域；

晶体管管芯，其具有附着到所述基板的管芯附着区域的第一端子、以及背对所述基板的第二端子和第三端子；以及

包括电绝缘构件的框架，所述电绝缘构件具有附着到所述基板的周边区域的第一侧、背对所述基板的第二侧、在所述绝缘构件的第一侧处的第一含铜金属层以及在所述绝缘构件的第二侧处的第二含铜金属层，

其中所述绝缘构件向外延伸超过所述基板的横向侧壁，所述第一金属层被附着到所述第一侧的向外延伸超过所述基板的横向侧壁的部分，以及所述第一和第二金属层在所述绝缘构件的与所述基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述绝缘构件包括附着到所述基板的周边区域的较薄部分和邻接所述基板的横向侧壁的较厚部分，使得所述封装具有表面安装配置。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一和第二金属层被嵌入或层叠到所述电绝缘构件。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述绝缘构件包括在所述绝缘构件的第一和第二侧之间延伸的导电通孔，所述导电通孔在所述绝缘构件的与所述基板的横向侧壁间隔开的区域处电连接所述第一和第二金属层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述通孔包括贯穿所述绝缘构件并具有由含铜材料覆盖的侧壁的开口。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述绝缘构件具有与所述基板的横向侧壁间隔开的横向侧壁，以及其中所述第一和第二金属层通过布置在所述绝缘构件的横向侧壁上的金属层而被电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述框架还包括：

第三含铜金属层，其在所述绝缘构件的第二侧处并与所述第二金属层间隔开；以及

第四含铜金属层，其在所述绝缘构件的第一侧处并与所述第一金属层间隔开，

其中所述第三和第四金属层在所述绝缘构件的与所述基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接，所述第三金属层将所述晶体管管芯的第二端子电连接到DC，以及所述第二金属层形成所述封装的输出端子，所述输出端子被电连接到所述晶体管管芯的第二端子。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述框架还包括：

第五含铜金属层，其在所述绝缘构件的第二侧处并与所述第二和第三金属层间隔开；以及

第六含铜金属层，其在所述绝缘构件的第一侧处并与所述第一和第四金属层间隔开，

其中所述第五和第六金属层在所述绝缘构件的与所述基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接，以及所述第五金属层形成所述封装的输入端子，所述输入端子被电连接到所述晶体管管芯的第三端子。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述框架还包括：

在所述第二金属层上的附加电绝缘构件；

第三含铜金属层，其在所述附加绝缘构件的背对所述第二金属层的一侧处；

第四含铜金属层，其在所述绝缘构件的第一侧处并与所述第一金属层间隔开，

其中所述第三和第四金属层在所述绝缘构件的与所述基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接，所述第三金属层将所述晶体管管芯的第二端子电连接到DC，以及所述第二金属层形成所述封装的输出端子，所述输出端子被电连接到所述晶体管管芯的第二端子。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述框架还包括：

第五含铜金属层，其在所述绝缘构件的第二侧处并与所述第二金属层间隔开；以及

第六含铜金属层，其在所述绝缘构件的第一侧处并与所述第一和第四金属层间隔开，

其中所述第五和第六金属层在所述绝缘构件的与所述基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接，以及所述第五金属层形成所述封装的输入端子，所述输入端子被电连接到所述晶体管管芯的第三端子。