[发明专利]用于导电糊组合物的无机反应体系

权利要求书

1.导电糊组合物，包含：

金属颗粒；

无机反应体系，包含：

(a)含银的形成基质的组合物，和(b)含铅的形成基质的组合物；和

有机载剂，

其中所述含银的形成基质的组合物包含下式所示的银-碲-锌氧化物：

Ag_a-Te_b-Zn_c-O_d

其中0≤a、b或c≤1，O_d电荷平衡Ag_a-Te_b-Zn_c成分。

2.根据权利要求1的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物具有大于1×10^-12S·cm^-1的导电率。

3.根据权利要求1的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物具有大于1×10^-11S·cm^-1的导电率。

4.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，进一步包含附加的形成基质的组合物。

5.根据权利要求4的导电糊组合物，其中所述附加的形成基质的组合物包含铅。

6.根据权利要求4的导电糊组合物，其中所述附加的形成基质的组合物包含含铅的玻璃组合物。

7.根据权利要求4的导电糊组合物，其中所述附加的形成基质的组合物不含有意添加的铅。

8.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达该组合物的85m.％的银。

9.根据权利要求8的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达该组合物的75m.％的银。

10.根据权利要求8的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达该组合物的60m.％的银。

11.根据权利要求8的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达该组合物的40m.％的银。

12.根据权利要求8的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达该组合物的20m.％的银。

13.根据权利要求8的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达该组合物的10m.％的银。

14.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含该组合物的20-85m.％的银。

15.根据权利要求14的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含该组合物的40-75m.％的银。

16.根据权利要求14的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含该组合物的50-70m.％的银。

17.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达80重量％的银。

18.根据权利要求17的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达50重量％的银。

19.根据权利要求17的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含最多达30重量％的银。

20.根据权利要求17的导电糊组合物，其中所述含银的形成基质的组合物包含1-20重量％的银。

21.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中a:b在5:95和95:5之间。

22.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中a:b在1:10和10:1之间。

23.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中b:c在5:95和95:5之间。

24.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中b:c在1:1和20:1之间。

25.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中所述金属颗粒选自由银、金、铜和镍组成的组中的至少一种。

26.根据权利要求1-3任一项的导电糊组合物，其中所述金属颗粒为银。