[发明专利]具有高比表面积和晶化孔壁的介孔Co3O4材料及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 201310240026.9 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN103274482A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 王永霞;崔香枝;施剑林;陈立松 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04;B01J23/75
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 具有 表面积 晶化孔壁 co sub 材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种制备具有高比表面积和晶化孔壁的介孔Co3O4材料的方法,其特征在于,所述方法包括:

将包含钴源的乙醇前驱液与具有三维立方孔道结构的介孔二氧化硅模板混合,搅拌直至溶剂挥干,以通过一步纳米灌注法使所述前驱液完全灌注至所述模板的介孔孔道中从而制得前驱体/模板复合物;

将所述前驱体/模板复合物进行热处理以制得Co3O4/模板复合物;

用强酸或强碱去除所述Co3O4/模板复合物中的所述模板以制得所述介孔Co3O4材料。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述钴源是易溶于乙醇的钴盐。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述钴源是硝酸钴和/或乙酸钴、氯化钴。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的方法,其特征在于,在所述乙醇前驱液中,所述钴源的浓度为150~160g/L。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的方法,其特征在于,所述钴源与所述模板的质量比为4:1~5:1。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的方法,其特征在于,所述热处理是在500~1000℃处理2~8小时。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的方法,其特征在于,所述前驱体/模板复合物在进行所述热处理之前于60~80℃烘干处理2~8小时以使所述溶剂完全挥发。

8.据权利要求1~7中任一项所述的方法,其特征在于,所述前驱体/模板复合物在进行所述热处理之前于水浴锅中60~80℃搅拌处理2~8小时以使所述溶剂挥发形成胶状体。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的方法,其特征在于,所述强碱为1~3M NaOH水溶液。

10.一种由权利要求1~9中任一项所述的方法制备的具有高比表面积和晶化孔壁的介孔Co3O4材料,其特征在于,所述材料的比表面积为40~100 m2/g,孔径为4~12 nm;且具有晶化孔壁。

11.一种根据权利要求10所述的具有高比表面积和晶化孔壁的介孔Co3O4材料在NO催化氧化中的应用。

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