[发明专利]用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板

权利要求书

1.一种用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板，包括金属基体，其特征在于在所述金属基体上依次形成有耐压陶瓷层和高导热陶瓷层；所述耐压陶瓷层和高导热陶瓷层之间具有活性钎焊层，并且通过掩模对所述高导热陶瓷层以及活性钎焊层进行选择性蚀刻形成多个隔离基座；在所述隔离基座上形成有金属电路层。

2.根据权利要求1所述的用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板，其特征在于所述耐压陶瓷层的厚度为10-500 um；所述耐压陶瓷层选自氧化铝，氮氧化铝或碳化硅中的一种或几种。

3.根据权利要求1或2所述的用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板，其特征在于所述耐压陶瓷层通过溅射、蒸镀、电弧沉积、化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积法制备得到。

4.根据权利要求1所述的用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板，其特征在于所述高导热陶瓷层的厚度为10-500 um；并且所述高导热陶瓷层为AlN、 AlON或SiN。

5.根据权利要求4所述的用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板，其特征在于所述高导热陶瓷层通过粉末烧结法制备得到。

6.根据权利要求1所述的用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板，其特征在于所述金属基体与耐压陶瓷层之间具有过渡层。

7.根据权利要求7所述的用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板，其特征在于所述过渡层通过溅射、蒸镀、电弧沉积、化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积法制备得到。

8.根据权利要求1所述的用于光学和电子器件的多层复合陶瓷层图案化结构基板，其特征在于所述活性钎焊层使用的钎料含有0.5-0.8wt%的Ag、0.8-1.0 wt%的In、2.1-2.5 wt%的Ti、1.2-1.5 wt%的Si、5.2-7.2 wt%的Sn、2.7-3.2 wt%的Al、0.65-0.95wt%的Mn、1.8-2.1wt%的Ni、0.5-0.7wt%的Ce、0.1-0.2wt%的B和余量的Cu。

9.根据权利要求1或2所述的多陶瓷层印刷线路板，其特征在于所述金属电路层通过溅射、蒸镀、电弧沉积、化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积金属层，并通过干蚀刻得到所述金属电路层；或者通过直接印刷金属浆料并烧结的方式制成。