[发明专利]CMOS下变频混频器

权利要求书

1.一种CMOS下变频混频器，其特征在于，包括：

射频差分输入电路，包括第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极作为两个射频输入端并分别连接两个差分射频电压信号，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极连接在一起，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的漏极作为所述射频差分输入电路的两个输出端并分别输出和所述差分射频电压信号频率相同的两路差分射频电流信号；

开关电路，所述开关电路包括两个对称且为全差分结构的第一开关支路和第二开关支路，所述第一开关支路和所述第二开关支路的控制端都分别连接两个差分本振信号，所述第一开关支路的输入端连接所述第一NMOS管的漏极、所述第二开关支路的输入端连接所述第二NMOS管的漏极，所述第一开关支路和所述第二开关支路的正相输出端连接在一起并输出差分中频电压信号的正相信号，所述第一开关支路和所述第二开关支路的反相输出端连接在一起并输出差分中频电压信号的反相信号；

所述第一开关支路和所述第二开关支路的正相输出端和电源电压之间连接有第一负载电路，所述第一开关支路和所述第二开关支路的反相输出端和电源电压之间有第二负载电路；

所述第一负载电路由第一电阻和第一PMOS管并联而成，所述第一电阻和所述第一PMOS管的漏极连接并接两个所述开关支路的正相输出端，所述第一电阻和所述第一PMOS管的源极连接并接电源电压；

所述第二负载电路由第二电阻和第二PMOS管并联而成，所述第二电阻和所述第二PMOS管的漏极连接并接两个所述开关支路的反相输出端，所述第二电阻和所述第二PMOS管的源极连接并接电源电压；

所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相同，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的结构相同，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极都连接第一控制电压，通过调节所述第一控制电压的大小控制所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的工作状态和电阻大小从而调节所述第一负载电路和所述第二负载电路的负载大小，实现所述CMOS下变频混频器的增益调节；

所述射频差分输入电路还包括一LC并联电路，所述LC并联电路由第一电容和第一电感并联而成，所述第一电容和所述第一电感的第一端连接在一起且连接所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极，所述第一电容和所述第一电感的第二端连接在一起且接地。

2.如权利要求1所述的CMOS下变频混频器，其特征在于，还包括：

第一恒流源，连接在所述第一NMOS管的漏极和电源电压之间，所述第一恒流源用于对所述第一NMOS管的直流进行泄放，减小所述第一开关支路电流；

第二恒流源，连接在所述第二NMOS管的漏极和电源电压之间；所述第二恒流源用于对所述第二NMOS管的直流进行泄放，减小所述第二开关支路电流。

3.如权利要求2所述的CMOS下变频混频器，其特征在于：

所述第一恒流源由第三PMOS管组成，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第三PMOS管的源极连接电源电压；

所述第二恒流源由第四PMOS管组成，所述第四PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极连接电源电压；

所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极连接相同的偏置电压。

4.如权利要求1所述的CMOS下变频混频器，其特征在于：所述开关电路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；

所述第一开关支路由所述第三NMOS管和所述第四NMOS管组成，所述第二开关支路由所述第五NMOS管和所述第六NMOS管组成；

所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极相连接并连接所述第一NMOS管的漏极；所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源极相连接并连接所述第二NMOS管的漏极；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极作为所述第一开关支路的输入端，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源极作为所述第二开关支路的输入端；

所述第三NMOS管和所述第六NMOS管的栅极都连接相同的一个所述差分本振信号，所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的栅极都连接相同的另一个所述差分本振信号；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极组成所述第一开关支路的控制端，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的栅极组成所述第二开关支路的控制端；

所述第三NMOS管和所述第五NMOS管的漏极连接在一起并输出所述差分中频电压信号的正相信号，所述第四NMOS管和所述第六NMOS管的漏极连接在一起并输出所述差分中频电压信号的反相信号；所述第三NMOS管和所述第五NMOS管的漏极分别作为所述第一开关支路和所述第二开关支路的正相输出端，所述第四NMOS管和所述第六NMOS管的漏极分别作为所述第一开关支路和所述第二开关支路的反相输出端。