[发明专利]单片集成多个声表面波滤波器间声电耦合的隔离方法

权利要求书

1.一种单片集成多个声表面波滤波器间声电耦合的隔离方法，其特征在于：

在同一压电单晶基片上集成制作多个平行排布的声表面波滤波器，各声表面波滤波器输入信号电极和输出信号电极均独立设置并由各声表面波滤波器的地电极隔开，各声表面波滤波器地电极并联接地，在压电单晶基片表面各声表面波滤波器之间制作声电隔离结构。

2.根据权利要求1所述的单片集成多个声表面波滤波器间声电耦合的隔离方法，其特征在于：

所述声电隔离结构为制作在压电单晶基片表面各个声表面波滤波器之间的纵向沟槽，其上覆盖金属膜并与声表面波滤波器地电极相连；所述声电隔离结构或者为制作在压电单晶基片表面各个声表面波滤波器之间的重质金属膜电极，并与声表面波滤波器地电极相连。

3.根据权利要求2所述的单片集成多个声表面波滤波器间声电耦合的隔离方法，其特征在于：

所述纵向沟槽上覆盖的金属膜为与声表面波滤波器图形结构同质且等厚的铝膜或铝铜合金膜。

4.根据权利要求2所述的单片集成多个声表面波滤波器间声电耦合的隔离方法，其特征在于：

所述重质金属膜为与声表面波滤波器图形结构异质且密度高于声表面波滤波器图形结构的金膜、铜膜或铝铜合金膜，或者为厚于声表面波滤波器图形结构且与声表面波滤波器图形结构同质的铝膜、铝铜合金膜。

5.根据权利要求2所述的单片集成多个声表面波滤波器间声电耦合的隔离方法，其特征在于：

所述纵向沟槽采用机械的或化学的方法在压电单晶基片表面刻蚀而成。

6.根据权利要求2所述的单片集成多个声表面波滤波器间声电耦合的隔离方法，其特征在于：

所述金属膜和重质金属膜采用物理淀积和光刻刻蚀工艺制作而成。