[发明专利]一种电流采样保持电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电流采样保持电路，属于电流检测技术。

背景技术

现有技术中，直流电流采样一般用电流传感器或采用模拟开关进行电流采样保持，但其成本高，且对传感器在电流采样上的应用要具备较高的技术要求。

MOS管是指在集成电路中用来代替开关的绝缘性场效应管，MOS管有三个极：源极S、漏极D、和栅极（或控制极）G，工作原理是在给源极和漏极之间加上正确极性和大小的电压（因管型而异）后，再给G极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。

发明内容                                                                                               

本发明的主要目的在于提供一种电流采样保持电路，其成本低，电路设置简单合理，结构元件简单，且运行稳定。

为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：一种电流采样保持电路，包括MOS管、电容、多个电阻、运算放大器和微处理器；第一电阻一侧是电流输入采样侧，其另一侧与MOS管源极连接；MOS管的删极通过第二电阻后连接到微处理器MCU，进行采样控制信号输出；MOS管的漏极与电容连接，通过对电容充电来对所采集的信号进行保持，最后通过运算放大器将保持信号进行放大并输出至微处理器。

优选地，MOS管的漏极与电容、第三电阻的连接点连接，第三电阻的另一侧与运算放大器的正相输入端连接放大后输出到微处理器；电容的另一端依次通过串联的第四电阻、第五电阻后连接到微处理器。

优选地，第六电阻连接在MOS管的删极和地之间。

优选地，所述运算放大器采用LM358芯片。

优选地，所述MOS管采用BSS138芯片。

优选地，所述第一电阻阻值为200欧姆，第二电阻阻值为200欧姆，第三电阻阻值为200欧姆，第四电阻阻值为1.5k欧姆，第五电阻阻值为10k欧姆，第六电阻阻值为10k欧姆。

本发明的有益效果如下：本发明采用MOS管和电容构成采样保持，并采用软件硬件结合，当有电流输入时（负载驱动打开状态），MOS管被打开，然后通过对电容的充电对所采集的信号进行保持，最后通过运算放大器将保持信号进行放大并输出至微处理器。本发明成本低，结构元件简单，且运行稳定。

附图说明

图1为本发明实施例电路原理图。

具体实施方式

本发明目的的实现、功能特点及有益效果，下面将结合具体实施例以及附图做进一步的说明。

下面结合附图和具体实施例对本发明所述技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。

本发明实施例采用MOS管和电容构成采样保持，并采用软件硬件结合，当有电流输入时（负载驱动打开状态），MOS管被打开，然后通过对电容的充电对所采集的信号进行保持，最后通过运算放大器将保持信号进行放大并输出至微处理器。

如图1所示的电路原理图中，本发明实施例采样保持电路中：第一电阻R1的一侧是电流输入采样侧，其另一侧与MOS管Q2源极连接；MOS管Q2的删极通过第二电阻R2后连接到微处理器MCU，进行采样控制信号输出；MOS管Q2的漏极与电容C7、第三电阻R3的连接点连接，第三电阻R3的另一侧与运算放大器IC2B的正相输入端连接放大后输出到微处理器MCU；电容C7的另一端依次通过串联的第四电阻R4、第五电阻R5后连接到微处理器MCU。

第六电阻R6连接在MOS管Q2的删极和地之间，第六电阻R6阻值为10k欧姆，用于MOS管Q2保护接地。

所述运算放大器IC2B采用LM358芯片。

所述MOS管Q2采用BSS138芯片。

所述第一电阻R1阻值为200欧姆，用于采样输入侧抗干扰。

第二电阻R2阻值为200欧姆，是MOS管Q2驱动电阻。

第三电阻R3阻值为200欧姆，第四电阻R4阻值为1.5k欧姆，第五电阻R5阻值为10k欧姆，均是运算放大电路中的调整电阻。