[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一导电层；

在所述第一导电层上方形成金属导电层；

在所述金属导电层上方形成光刻胶层，图案化所述光刻胶层；

以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属导电层至露出所述第一导电层，在所述金属导电层内形成开口；

灰化去除所述光刻胶层；

以所述金属导电层为掩膜，刻蚀所述第一导电层至露出所述基底。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述光刻胶层前，先在所述第一导电层上形成硬掩膜层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为TEOS。

4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述第一导电层之前，在所述金属导电层的开口的侧壁形成侧墙。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙材质为富硅氧化物。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述富硅氧化物为氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

7.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为500～1000埃。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底的材质为无定形碳。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述光刻胶层后，还包括步骤：清洗所述基底。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属导电层的材质为Al。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一导电层的材质为Ge或是SiGe。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述金属导电层的方法为干法刻蚀法，所述干法刻蚀法以含有Cl₂的气体为刻蚀气体。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括Br₂。

14.一种半导体器件，其特征在于，包括：

位于基底上方的第一导电层；

位于所述第一导电层上的金属导电层；

贯穿所述金属导电层和第一导电层的开口，所述开口暴露出所述基底。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

侧墙，位于所述第一导电层上方，且覆盖于所述开口内金属导电层的侧壁。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述侧墙的厚度为500～1000埃。

17.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述基底的材质为无定形碳。

18.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述金属导电层的材质为Al。

19.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电层的材质为Ge或SiGe。