[发明专利]超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品及其制备方法

权利要求书

1.超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品，包括陶瓷胚体，以及设置在所述陶瓷胚体表面的釉层，其特征在于：所述陶瓷胚体由下列重量份的原料制成：

高岭土30～40份、石英35～45份、硅酸锆5～10份、长石5～10份、木鱼石粉3～5份、滑石5～10份、稀土3～5份；

所述釉层由下列质量百分比的原料制成：

石英15～20份、长石35～45份、纳米载银抗菌剂1～2份、滑石5～10份、氧化锌1～3份、氧化锡1～3份、氧化铜1～3份、稀土3～5份。

2.根据权利要求1所述的超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品，其特征在于：所述陶瓷胚体由下列重量份的原料制成：

高岭土30份、石英40份、硅酸锆10份、长石10份、木鱼石粉5份、滑石5份、稀土5份；

所述釉层由下列质量百分比的原料制成：

石英20份、长石45份、纳米载银抗菌剂1份、滑石5份、氧化锌3份、氧化锡3份、氧化铜3份、稀土3份。

3.根据权利要求1或2所述的超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品，其特征在于：所述稀土为氧化铒、氧化钕、氧化镨、氧化铈中的一种或几种任意比例的混合物。

4.超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)原料配料：按重量份准确称取下列陶瓷胚体原料，高岭土30～40份、石英35～45份、硅酸锆5～10份、长石5～10份、木鱼石粉3～5份、滑石5～10份、稀土3～5份，并混合、粉碎、研磨、过筛，即得混合原料；

(b)模塑成型：将上述混合原料经过模塑加工成型，并干燥至15～18％水分，得青坯；

(c)胎型修理：使用工具将上述青坯修整平滑；

(d)配釉施釉：按重量份准确称取下列釉层原料，石英15～20份、长石35～45份、纳米载银抗菌剂1～2份、滑石5～10份、氧化锌1～3份、氧化锡1～3份、氧化铜1～3份、稀土3～5份，并混合、粉碎、研磨、过筛，即得混合釉料；对上述修整后的青坯进行施釉，即得釉坯；

(e)高温烧制：将上述釉坯放入炉中焙烧，焙烧温度50～1350℃，烧成时间8～12小时，

(f)冷却成型：经釉烧后冷却，出窑，再进行检验、分级、包装。

5.根据权利要求4所述的超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品的制备方法，其特征在于，步骤a中称取的陶瓷胚体原料为高岭土30份、石英40份、硅酸锆10份、长石10份、木鱼石粉5份、滑石5份、稀土5份。

6.根据权利要求4所述的超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品的制备方法，其特征在于，步骤a中所述的混合原料的细度为通过120目筛。

7.根据权利要求4所述的超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品的制备方法，其特征在于，步骤d中称取的釉层原料为石英20份、长石45份、纳米载银抗菌剂1份、滑石5份、氧化锌3份、氧化锡3份、氧化铜3份、稀土3份。

8.根据权利要求5或7所述的超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品的制备方法，其特征在于，所述稀土为氧化铒、氧化钕、氧化镨、氧化铈中的一种或几种任意比例的混合物。

9.根据权利要求4所述的超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品的制备方法，其特征在于，步骤d中所述的混合釉料的细度为通过280目筛。

10.根据权利要求4所述的超纳米银离子硅酸锆陶瓷工艺品的制备方法，其特征在于，步骤e中的二次釉烧包括三个阶段：

干燥阶段：20～800℃，升温速度控制在50～200℃/小时；

氧化阶段：800～1200℃，升温速度控制在80～150℃/小时；

还原阶段：1200～1350℃，升温速度控制在50～80℃/小时。