[发明专利]双面受光太阳电池制作方法

权利要求书

1.一种双面受光太阳电池的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

步骤一：在半导体衬底(21)相对的两个主要表面，即表面一(21a)和表面二(21b)中的一个或两个表面上制作绒面或抛光结构；

步骤二：在步骤一所述的表面一(21a)采用热扩散方法形成p型掺杂的掺杂层一(22)；

步骤三：在步骤一所述的表面二(21b)沉积n型掺杂的介质膜或采用离子注入方法在

表面二(21b)注入n型掺杂剂，形成位于表面二(21b)之上或位于表面二表层的富杂质层二(23)；

步骤四：对表面二进行退火处理，使步骤三所述的富杂质层二(23)中的n型杂质向半导体衬底扩散，形成掺杂层二(24)；或者是直接将富杂质层二(23)部分或全部转化成掺杂层二(24)；

步骤五：在表面一(21a)上沉积介质薄膜一(25)，在表面二(21b)上沉积介质薄膜二(26)，并在表面一(21a)上制作镂空的金属电极一(27)，在表面二(21b)上制作镂空的金属电极二(28)。

2.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤一中所述的半导体衬底(21)为p型或n型掺杂的硅或锗薄片或薄膜。

3.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤一是采用湿化学腐蚀、反应离子刻蚀或机械刻蚀方法对表面一(21a)和表面二(21b)进行处理，在表面一(21a)和表面二(21b)上均制作绒面结构，或者在表面一(21a)和表面二(21b)上均制作抛光结构，又或者在表面一(21a)或表面二(21b)中的其中一面制作绒面结构，而在另外一面制作抛光结构。

4.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤二中所述的热扩散方法是指，a)在表面一(21a)上涂覆或贴合含有硼、镓、铝或它们的化合物中的一种或多种组分的液态源或固态源，利用高温使液态源或固态源中的硼、镓或铝扩散进入到表面一内；或b)在环境中通入含有硼、镓、铝或它们的化合物中的一种或多种组分的气氛，在高温下，上述硼、镓、铝或它们的化合物通过物理沉积或化学反应沉积在衬底表面，再利用高温使其中的硼、镓或铝扩散到衬底表面。

5.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤二和步骤三之间包括一个对表面二(21b)进行刻蚀的步骤。

6.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤三所述的n型掺杂介质膜是通过等离子体增强化学气相沉积、常压化学气相沉积或低压化学气相沉积方法沉积的掺有磷、氮、砷、锑、铋或它们的化合物中的一种或多种组分的介质膜，该介质膜是由非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或氧化钛组成的单层膜或多层膜。

7.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤三所述的离子注入的离子源是含有磷、氮、砷、锑或铋元素的离子，该离子注入步骤的注入剂量在0.1×10¹⁵～10×10¹⁵cm^-2之间。

8.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤四所述的退火处理，还包括在退火前或退火后的单步或多步清洗或湿化学腐蚀步骤。

9.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤五所述的介质薄膜一(25)和介质薄膜二(26)是非晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或氧化钛组成的单层膜或多层膜。

10.根据权利要求1所述的双面受光太阳电池制作方法，其特征在于：其步骤五所述的金属电极一(27)和金属电极二(28)呈梳状、网格状或放射状，覆盖于其接触的半导体衬底(21)表面的部分区域；或者金属电极一(27)和金属电极二(28)之一为平铺状，覆盖该表面的全部或大部分区域，另一金属电极呈梳状、网格状或放射状，覆盖于其接触的衬底表面的部分区域；所述的金属电极一(27)和金属电极二(22)的成分为银、铝、铜、镍或锡中的一种或多种组分。