[发明专利]改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法

权利要求书

1.一种改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，其特征在于包括： 

第一步骤：利用膜厚测量仪，在测量多晶硅栅极硬掩模层厚度的测量的工艺中，测量多晶硅栅极中离子掺杂多晶硅栅极的厚度以及多晶硅栅极生长的原始厚度； 

第二步骤：利用测量得到的多晶硅栅极生长的原始厚度，减去离子掺杂多晶硅栅极的厚度，得到非掺杂多晶硅栅极的厚度； 

第三步骤：对离子掺杂多晶硅栅极进行刻蚀，其中根据第一公式和离子掺杂多晶硅栅极的厚度来计算离子掺杂多晶硅栅极的第一刻蚀时间Time_doped，并且其中通过先进制程控制来实时修正每片硅片的第一刻蚀时间Time_doped； 

第四步骤：对非掺杂多晶硅栅极进行刻蚀，其中根据第二公式和非掺杂多晶硅栅极的厚度来计算非掺杂多晶硅栅极的第二刻蚀时间Time_undoped，并且其中通过先进制程控制来实时修正每片硅片的第二刻蚀时间Time_undoped。 

2.根据权利要求1所述的改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，其特征在于，第一公式和第二公式分别为： 

Time_doped(S)=H1/ER_doped

其中 

H1(A):离子参杂多晶硅栅极厚度 

ER_doped(A/S):离子参杂多晶硅栅极的刻蚀速率 

Time_doped(S):离子参杂多晶硅栅极的刻蚀时间。 

3.根据权利要求1所述的改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，其特征在于，第二公式为： 

Time_undoped(S)=(H2-H1)/ER_umdoped

其中 

H2(A):原始多晶硅栅极厚度 

H2-H1(A):未参杂多晶硅栅极厚度 

ER_umdoped(A/S):非参杂多晶硅栅极的刻蚀速率 

Time_undoped(S):非参杂多晶硅栅极的刻蚀时间。 

4.根据权利要求1至3之一所述的改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，其特征在于，所述改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法用于刻蚀MOS器件的多晶硅栅极。 

5.根据权利要求1至3之一所述的改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，其特征在于，所述改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法用于刻蚀CMOS器件的多晶硅栅极。 

6.根据权利要求1至3之一所述的改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，其特征在于，所述原始厚度为非掺杂多晶硅栅极和离子掺杂多晶硅栅极的总厚度。 

7.根据权利要求1至3之一所述的改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，其特征在于，非掺杂多晶硅栅极的截面横向尺寸等于非掺杂多晶硅栅极的截面横向尺寸。