[发明专利]一种降低绝缘体上硅材料埋氧层中正电荷密度的方法有效
| 申请号： | 201310220544.4 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104217925B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 郑中山;于芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 绝缘体 材料 埋氧层 中正 电荷 密度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低绝缘体上硅材料埋氧层中正电荷密度的方法，其特征在于，该方法是以离子注入方式对绝缘体上硅SOI材料进行埋氧层注氟，并在注氟后对SOI材料进行退火；其中，所述SOI材料是指通过离子注入方式对材料埋氧层进行辐射加固过程中引起埋层内正电荷密度上升的SOI材料。
2.根据权利要求1所述的降低绝缘体上硅材料埋氧层中正电荷密度的方法，其特征在于，所述对绝缘体上硅SOI材料进行埋氧层注氟，注氟的剂量依据埋氧层中正电荷密度的大小在1×1014cm-2～1×1017cm-2范围内选取。
3.根据权利要求1所述的降低绝缘体上硅材料埋氧层中正电荷密度的方法，其特征在于，所述在注氟后对SOI材料进行退火，退火温度范围为800℃～1100℃，退火时间范围为0.5小时～3小时，退火气氛为氮气或惰性气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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