[发明专利]基于纳米结构的互联线和散热器在审
| 申请号: | 201310220391.3 | 申请日: | 2006-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN103354223A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
| 发明(设计)人: | 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 | 申请(专利权)人: | 斯莫特克有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/532 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王鹏鑫 |
| 地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 纳米 结构 互联线 散热器 | ||
1.一种散热器,包括:
导电基底;和
由所述导电基底支撑的多个纳米结构,所述多个纳米结构至少部分地嵌在绝缘体中;
其中所述纳米结构中的每一个包括:
位于导电基底上的多个中间层,纳米结构的本质和性质由基底和纳米结构之间的多个层的本质和互相扩散区域而决定。
2.根据权利要求1所述的散热器,其中所述纳米结构包括:
底部;
尖端;和
位于所述底部和所述尖端之间的主体
其中所述尖端包括来自所述中间层中的至少一层的、在所述纳米结构的生长期间已经扩散通过所述主体的材料。
3.根据权利要求1所述的散热器,其中所述多个中间层中的至少一层包括从由无定形硅和锗构成的组选择的材料。
4.根据权利要求1所述的散热器,其中所述纳米结构中的每一个包括:
导电基层;
位于导电基层上的无定形硅层;
位于无定形硅层上的催化剂层;和
设置在催化剂层上的碳纳米结构。
5.根据权利要求1所述的散热器,其中所述纳米结构中的每一个包括:
导电基层;
位于导电基层上的无定形锗;
位于无定形锗层上的催化剂层;和
设置在催化剂层上的碳纳米结构。
6.一种电子器件,包括:
电路;和
根据权利要求1所述的、设置成与所述电路热接触的散热器。
7.根据权利要求6所述的电子器件,其中以所述纳米结构基本上垂直于所述电路的边缘的方式设置所述散热器。
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