[发明专利]晶圆测试的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆测试的方法。

背景技术

晶圆测试（Chip Probing，CP）是在晶圆制造完成之后，对晶圆上每一个芯片进行电性能力和电路机能的测试。晶圆测试也叫芯片测试（die sort）或晶圆电测（wafer sort）。

晶圆测试是为了以下目的，首先，可以在晶圆送到封装工厂之前，鉴别出合格的芯片，不合格的芯片不进行后续的封装过程，节省成本。另外，能对器件/电路的电性参数进行特性评估，工程师通过这些监测参数的分布状态来控制工艺的质量水平。

在测试时，晶圆被固定在真空吸力的卡盘上，同时探针与芯片的每一个焊垫相接触。测试仪将电流或电压通过探针输入被测器件，然后测试该芯片对于此输入信号的响应，得到电性能参数。测试的数量、顺序和类型由计算机程序控制。现有的对晶圆上的芯片进行测试的顺序是，沿着某一方向，对晶圆上的芯片逐个进行测试。如图1所示，为现有的对晶圆上的芯片进行测试的示意图，其中虚线围成的方格表示晶圆上的芯片，填充阴影的方格表示被标记不良或电性能不佳的芯片。实际生产中，晶圆往往形成有缺口（notch）101用来粗对准晶圆的位置，在本例子中，待测试的晶圆经过粗对准后缺口101朝向右侧，探针从在水平方向上逐个逐行对芯片进行测试（例如为图1中实线标出的路径），然后将合格芯片与不良品在晶圆上的位置在计算机上以晶圆图的形式记录下来。

一般来说，晶圆生产是按产品种类按批次生产，例如，同一盒晶圆，经过完全同样的生产过程和工艺参数，其上的芯片良率也呈相似的分布。然而，有时测试的结果并不能真实的反应出晶圆上不良的芯片的分布，由于机台校准或测试设置等原因，测试结果会表现为该批次晶圆上的某些区域在测试方向上的芯片都被标记为不良或电性能参数不佳（如图1中阴影部分）。因此，工程师在面对这样的测试结果时并不能分辨出是这些芯片确实存在缺陷还是由于测试引起的问题，只能通过重新测试或借助其他手段进行确认，这样就增加了工艺时间，甚至严重的降低了生产效率。

发明内容

本发明提供一种晶圆测试的方法，以解决现有技术无法直接分辨出不良的测试结果是由于芯片确实有缺陷还是由于测试引起的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆测试的方法，对晶圆上的芯片逐个进行测试，所述晶圆测试的方法在两个相互垂直的方向分别对待测试晶圆进行测试。

可选的，待测试的晶圆为同批次的相同产品的多片晶圆，将所述多片晶圆分为两组，两组晶圆的进行测试的方向相互垂直。

可选的，对所述多片晶圆中第奇数片的晶圆在第一方向进行测试；对所述多片晶圆中的第偶数片晶圆在与第一方向垂直的第二方向进行测试。

可选的，待测试的晶圆为单片晶圆，将所述单片晶圆划分为多个区域，相邻的区域进行测试的方向相互垂直。

可选的，晶圆上相互垂直的两条弦将晶圆分为四个区域，相邻的两个区域进行测试的方向相互垂直。

可选的，晶圆上相互垂直的两条直径将晶圆等分为四个区域，按顺时针方向定义这四个区域为第一区域、第二区域、第三区域、第四区域，其中第一区域和第三区域在第一方向进行测试，第二区域和第四区域在第二方向进行测试。

可选的，定义晶圆缺口与晶圆圆心所在的直径的方向为第一方向，定义晶圆平面内与第一方向垂直的方向为第二方向。

与现有技术相比，本发明提供的晶圆测试的方法具有以下优点：

所述晶圆测试的方法对待测试的晶圆在相互垂直的两个方向上进行测试，若是晶圆测试受到测试本身因素的影响时，不同的方向上的测试结果会呈现出明显的区别分布，这样可以直接通过测试结果分辨出本次测量是否受到测试本身因素的影响，从而能有效的分辨由于测试本身的因素影响而标记的芯片不良，也就减少了需要重新测试或借助其他手段对测试结果进行确认的情况，进一步的，还能通过测试结果确定受测试本身因素影响的晶圆的具体的区间，大大的提高了效率。

附图说明

图1为现有的对晶圆上的芯片进行测试的示意图；

图2A至图2B为本发明实施例一所提供的晶圆测试方法的示意图；

图3为本发明实施例二所提供的晶圆测试方法的示意图。

具体实施方式