[发明专利]多端口存储器系统和用于多端口存储器的写电路和读电路在审

专利信息
申请号: 201310217910.0 申请日: 2013-06-03
公开(公告)号: CN104217752A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 黄永昌;湛斌;史祥宁 申请(专利权)人: 辉达公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;徐丁峰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 多端 存储器 系统 用于 电路
【权利要求书】:

1.一种用于多端口存储器的写电路,包括数据总线反转电路和用于写的静态I/O电路,其中:

所述数据总线反转电路配置为对输入数据进行编码,输出经编码的数据至所述用于写的静态I/O电路,并且输出至少一个编码标志位经由附加的I/O电路至所述多端口存储器的编码标志位存储单元,用于指示所述输入数据的编码状态;

所述用于写的静态I/O电路包括多个I/O位片电路,其中每个I/O位片电路连接到所述多端口存储器的对应的存储单元的一对位线,并配置为根据从所述数据总线反转电路所接收的所述经编码的数据的待写位写所述对应的存储单元,其中对于所述对应的存储单元,仅在两个连续的写周期内所述待写位不同的情况中,所述位线上的电位才改变。

2.根据权利要求1所述的写电路,其特征在于,所述每个I/O位片电路包括连接在所述一对位线的第一位线和所述数据总线反转电路之间的偶数个串联的反相器,以及连接在所述一对位线的第二位线和所述数据总线反转电路之间的奇数个串联的反相器。

3.根据权利要求2所述的写电路,其特征在于,所述偶数个串联的反相器中的一个包括第一使能端,以及所述奇数个串联的反相器中的一个包括第二使能端,其中当所述第一使能端和所述第二使能端的输入信号为低电平时,对应的位线由所述待写位驱动。

4.根据权利要求1所述的写电路,其特征在于,所述数据总线反转电路包括判决电路、写多路复用器和数据缓存电路,其中:

所述判决电路配置为将当前写周期的输入数据和先前写周期的经编码的数据进行比较,以设置并输出所述编码标志位至所述写多路复用器和所述编码标志位存储单元;

所述写多路复用器配置为接收所述当前写周期的输入数据,并且根据所述编码标志位来反转所述当前写周期的输入数据并输出经处理的数据,或直接输出所述当前写周期的输入数据作为经处理的数据;以及

所述数据缓存电路配置为接收并缓存所述经处理的数据,并输出经缓存的数据作为所述经编码的数据至所述判决电路和所述用于写的静态I/O电路。

5.根据权利要求4所述的写电路,其特征在于,所述判决电路进一步包括逻辑电路、计数器和比较器,其中:

所述逻辑电路包括与所述输入数据的位数相同数目的异或门,用于对所述当前写周期的输入数据和所述先前写周期的经编码的数据进行异或;

所述计数器配置为根据异或结果来对所述当前写周期的输入数据和所述先前写周期的经编码的数据中具有不同数据值的位数进行计数;以及

所述比较器配置为通过将所计数的数目与所述输入数据的位数的1/2进行比较来设置并输出所述编码标志位至所述写多路复用器和所述编码标志位存储单元。

6.根据权利要求1所述的写电路,其特征在于,所述附加的I/O电路与所述用于写的静态I/O电路结构不同。

7.根据权利要求1所述的写电路,其特征在于,每个所述编码标志位指示所述输入数据中的256位、128位或64位的编码状态。

8.根据权利要求1所述的写电路,其特征在于,所述数据总线反转电路设置为独立的组件或者集成到所述多端口存储器中。

9.一种用于多端口存储器的读电路,包括用于读的I/O电路和读多路复用器,其中:

所述用于读的I/O电路配置为从所述多端口存储器的存储单元读取数据和用于指示读取数据的编码状态的编码标志位,并将所读取的数据和所读取的编码标志位传送至所述读多路复用器;以及

所述读多路复用器配置为接收所传送的数据,并根据所传送的编码标志位来反转所述所传送的数据并输出经解码的数据,或直接输出所述所传送的数据作为所述经解码的数据。

10.根据权利要求9所述的读电路,其特征在于,所述用于读的静态I/O电路进一步包括读缓存电路,其包括由时钟控制的锁存器。

11.根据权利要求9所述的读电路,其特征在于,所述读多路复用器设置为独立的组件或者集成到所述多端口存储器中。

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