[发明专利]具有非易失性存储器件的存储设备以及写方法

说明书

相关申请的交叉引用

要求于2012年6月1日提交的韩国专利申请第10-2012-0059353号的优先权，其主题通过引用结合于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体存储器件，更具体地，涉及包括非易失性存储器件的存储设备，以及可以在包括非易失性存储器件的存储设备内操作的写方法。

背景技术

半导体存储器件可以根据其操作性质而分为易失性的或非易失性的。易失性存储器件可以以相对高的速率操作，但是当施加的电力消失时存储的数据会丢失。相反，非易失性存储器件能够在施加的电力消失时保持存储的数据。

非易失性存储器件可以包括掩模只读存储器（MROM）、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）、电可擦除可编程ROM（EEPROM）等等。快闪存储器是具有重大的商业重要性的一种EEPROM。例如，快闪存储器被广泛地用来在诸如计算机、蜂窝电话、PDA、数码相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等等的信息装置中存储语言和图像数据。

近来，许多半导体存储器件已经被设计和制造为包括堆叠或三维存储单元阵列（memory cell array）。三维存储单元阵列提供提高的数据存储密度、或者存储单元阵列的每单位面积所存储的数据。

发明内容

本发明构思的实施例的一个方面在于在包括非易失性存储器件的存储设备中存储写数据（write data）的方法，其中所述非易失性存储器件具有非易失性存储单元的存储单元阵列。该方法包括：将写数据与指示写操作的写请求一起接收，响应于写请求，检测存储单元阵列中可用的自由块的数量，如果检测出的自由块的数量小于阈值，则仅仅按照子块单位分配（allocate）日志块，而如果检测出的自由块的数量不小于阈值，则按照子块单位和物理块单位之一来分配日志块，其中子块单位小于物理块单位，以及根据日志块执行对于写数据的写操作。

本发明构思的实施例的另一个方面在于在包括非易失性存储器件的存储设备中存储写数据的方法，其中所述非易失性存储器件具有非易失性存储单元的存储单元阵列。该方法包括：将写数据与指示写操作的写请求一起接收，响应于写请求，确定存储单元阵列中的多个存储块中的坏块（bad block）的数量，如果坏块的数量大于阈值，则仅仅按照子块单位来分配日志块，而如果坏块的数量不大于阈值，则按照子块单位和物理块单位之一来分配日志块，其中子块单位小于物理块单位，以及根据日志块执行对于写数据的写操作。

附图说明

从以下参考附图的描述，以上及其它目的和特征将变得清楚。

图1是示出根据本发明构思的实施例的可以用来驱动存储系统的软件层结构的框图。

图2是总体示出根据本发明构思的实施例的存储系统的框图。

图3是示出根据本发明构思的实施例的非易失性存储器件的框图。

图4是进一步示出根据本发明构思的实施例的图3的存储单元阵列的透视图。

图5是进一步示出图4的存储块之一的透视图。

图6是进一步示出图5的存储块BLKi的等效电路图。

图7是示出根据本发明构思的实施例的可以用来执行非易失性存储器件的部分擦除操作的某些偏置条件的示图。

图8是概述根据本发明构思的实施例的块管理方法的流程图。

图9是示出根据本发明构思的实施例的日志块分配方法的概念图。

图10是示出根据本发明构思的另一个实施例的日志块分配（log block allocation）方法的概念图。

图11是示出根据本发明构思的实施例的存储系统的示范性软件层的框图。

图12是概述根据本发明构思的另一个实施例的存储块管理方法的流程图。

图13是进一步概述写模式（write pattern）确定方法的流程图。

图14是示出根据本发明构思的实施例的包括固态驱动器的用户设备的框图。

图15是示出根据本发明构思的实施例的存储卡的框图。

图16是示出根据本发明构思的实施例的包括快闪存储器件的计算系统的框图。

具体实施方式