[发明专利]硅片激光退火设备的工件台装置在审
| 申请号： | 201310215266.3 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104217977A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 童宇锋;郑刚;刘国淦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司;上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 激光 退火 设备 工件 装置 | ||
【权利要求书】：
1.硅片激光退火设备的工件台装置，其特征在于，包括工件台平面和三组以上接送柱，每组接送柱由两个以上小接送柱组合而成；工件台平面上对应小接送柱的位置开孔，作为小接送柱的升降通道。
2.根据权利要求1所述的工件台装置，其特征在于，每组接送柱包括有5个小接送柱。
3.根据权利要求1或2所述的工件台装置，其特征在于，所述小接送柱的直径为1～10mm。
4.根据权利要求1所述的工件台装置，其特征在于，所述小接送柱的材质为非金属。
5.根据权利要求1所述的工件台装置，其特征在于，三组接送柱位置对称。
6.根据权利要求1或5所述的工件台装置，其特征在于，采用8寸工件台时，每组接送柱中心距离工件台中心10～1000mm；采用12寸工件台时，每组接送柱中心距离工件台中心25mm～1500mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司;上海微电子装备有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司;上海微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310215266.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种恒温保险箱
- 下一篇：一种升降器驱动部总成
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
