[发明专利]MOS开关

说明书

技术领域

本申请大体涉及电子开关，更具体地，涉及金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)开关以及判优电路(arbiter circuit)。

背景技术

模拟开关可被配置为将模拟信号连接至电路路径，或使模拟信号与电路路径隔离。相反地，数字开关可被配置为响应于所接收的输入，改变输出状态，但是不会将所接收的信号由输入端传送至输出端。

发明内容

除了其他方面以外，本申请还讨论了一种开关电路。该开关电路包括：开关，其具有被配置为将第一节点连接至第二节点的低阻态，以及被配置为使所述第一节点与所述第二节点隔离的高阻态；以及判优电路，被配置为接收电源电压以及输入信号，在输出端提供所述电源电压和所述输入信号二者中的较高电压，以及在所述输入信号的电压低于所述电源电压时，使所述输入信号与地隔离。

本申请还讨论了一种开关系统，包括：开关，其具有：低阻态，被配置为将第一节点处的输入信号连接至第二节点；以及，高阻态，被配置为使所述第一节点处的所述输入信号与所述第二节点隔离；以及，判优电路，被配置为在输入端接收电源电压以及所述输入信号，以及在输出端提供所述电源电压和所述输入信号二者中的较高电压；其中，所述判优电路被配置为在所述输入信号的电压低于所述电源电压时，使所述输入信号与地隔离。

本申请进一步讨论了一种开关方法，包括：利用处于低阻态的开关，选择性地将第一节点处的输入信号连接至第二节点，以及利用处于高阻态的所述开关，使所述第一节点处的所述输入信号与所述第二节点隔离；在判优电路处接收电源电压以及输入电压；在所述判优电路的输出端提供所述电源电压和所述输入信号二者中的较高电压；以及在所述输入信号的电压低于所述电源电压时，利用所述判优电路的所述输出端使所述输入信号与地隔离。

本部分旨在提供对本专利申请的主题的概述，而非提供本发明的排他性的或详尽的说明。本文包括了详细的描述，以提供关于本专利申请的进一步信息。

附图说明

在附图中(这些附图不一定是按照比例绘制的)，相同的数字能够描述不同视图中的相似部件。具有不同字母后缀的相同数字能够表示相似部件的不同示例。附图通过示例而非限制的方式概括地示例了本申请中讨论的各个实施例。

图1大体示出了包括开关的开关电路的示例；

图2大体示出了包括开关和判优电路的开关电路的示例；

图3大体示出了施加至图1和2中所示开关的第一和第二输入信号的示例。

具体实施方式

图1大体示出了包括开关SW1(例如，模拟开关)的开关电路100的示例。该开关SW1被配置为：在第一状态(例如，低阻态或“ON”状态)下，将第一节点(例如，输入节点(IN))连接至第二节点(例如，输出节点(OUT))，而在第二状态(例如，高阻态或“OFF”状态)下，使所述第一节点与所述第二节点隔离。

开关SW1可包括第一晶体管M1和第二晶体管M2，该第一晶体管M1和第二晶体管M2均具有栅极、源极和漏极。在一示例中，第一晶体管M1可包括p沟道晶体管，且第二晶体管M2可包括n沟道晶体管，第一和第二晶体管M1、M2的源极可被连接至第一节点，且第一和第二晶体管M1、M2的漏极可被连接至第二节点。在一示例中，第一晶体管M1的块体(bulk)可连接至电源电压，例如电池电压(VBAT)，且第二晶体管M2的块体可接地。

在一示例中，开关电路100可被配置为，例如，在使能输入端EN处接收使能信号。第二晶体管M2的栅极可被配置为接收该使能信号。在一示例中，开关电路100可进一步包括具有栅极、源极和漏极的第三晶体管M3(例如，n沟道晶体管)。第三晶体管M3的栅极可被配置为接收该使能信号的表示，以及利用该使能信号的表示选择性地将第一晶体管M1的栅极接地。

在一示例中，开关电路100可包括：第一和第二逆变器IC1、IC2，被配置为接收使能信号，以及在某些示例中，缓冲该使能信号并提供反向使能信号。开关电路100可包括：第六晶体管M6(例如，n沟道晶体管)，被配置为接收该使能信号的表示，以及利用该使能信号的表示选择性地将第二节点接地。