[发明专利]晶体硅异质结太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201310212499.8 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103311366A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 熊光涌;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 硅异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将N型单晶硅硅片进行表面化学清洗、腐蚀制绒；
(2) 将上述硅片的正面进行Si离子和B离子注入，在正面形成一层本征非晶硅薄膜；
在硅片的背面进行Si离子和B离子注入，在背面形成一层本征非晶硅薄膜；
(3) 对上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；
(4) 在上述硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层；
(5) 在上述硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层；
(6) 在上述硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；
(7) 丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极，即可得到晶体硅异质结太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的离子注入的深度为20~30 nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，回刻后的本征非晶硅薄膜层的厚度为2~6 nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中硅片正面沉积的p型掺杂的非晶硅薄膜层的厚度为2~8 nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中硅片背面沉积的n型重掺杂的非晶硅薄膜层的厚度为2~6 nm。
6.一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将P型单晶硅硅片进行表面化学清洗、腐蚀制绒；
(2) 将上述硅片的正面进行Si离子和P离子注入，在正面形成一层本征非晶硅薄膜；
在硅片的背面进行Si离子和P离子注入，在背面形成一层本征非晶硅薄膜；
(3) 对上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；
(4) 在上述硅片正面沉积n型掺杂的非晶硅薄膜层；
(5) 在上述硅片反面沉积p型重掺杂的非晶硅薄膜层；
(6) 在上述硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；
(7) 丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极，即可得到晶体硅异质结太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的离子注入的深度为20~30 nm。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，回刻后的本征非晶硅薄膜层的厚度为2~6 nm。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中硅片正面沉积的n型掺杂的非晶硅薄膜层的厚度为2~8 nm。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中硅片背面沉积的p型重掺杂的非晶硅薄膜层的厚度为2~6 nm。
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
