[发明专利]一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法无效
| 申请号： | 201310210314.X | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103265036A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 周兴平;李申;徐腾;张凤凯 | 申请（专利权）人： | 东华大学;江苏凯达石英有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 常温 条件 制备 纳米 二氧化硅 材料 方法 | ||
1.一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，包括：
（1）将泡花碱、氯化钠溶于去离子水中，得硅酸钠母液；将98%浓硫酸配置成稀硫酸溶液，得酸母液；
（2）在25-35℃保温、搅拌条件下，将酸母液滴加入硅酸钠母液中，至pH=5.0-7.0，25-35℃保温，搅拌反应6-10h，然后分离洗涤、干燥，即得纳米二氧化硅材料。
2.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（1）中泡花碱为泡花碱工业中的泡花碱废料，模数为3.5-4.0。
3.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（1）中硅酸钠母液中泡花碱质量百分浓度为10%-30%。
4.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（1）中氯化钠的浓度为40g/L。
5.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（1）中稀硫酸溶液的浓度为1.5-2.0mol/L。
6.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中在反应釜中进行，反应釜容积为5L。
7.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中搅拌速度为120-130r/min；滴加速度为10～20mL/min。
8.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的分离洗涤为：将得到的产物抽滤，弃废液，将得到的滤饼按1:3的比例与去离子水混匀，再次抽滤，连续洗涤3-5次。
9.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中干燥温度为50-70℃，干燥时间为4-6h。
10.根据权利要求1所述的一种常温条件制备纳米二氧化硅材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中所得的二氧化硅纳米材料的粒径为15-50nm。
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