[发明专利]非易失性存储器阵列中检测读取失败的方法和存储器系统

权利要求书

1.一种在非易失性存储器阵列中检测即将发生的读取失败的方法，包括：

向非易失性存储器阵列的多个单元施加批量读取应力；

在所述批量读取应力之后，确定在阵列完整性检查期间所述多个单元在余裕读取验证电压水平处是否显示无法校正的纠错码(ECC)读取，其中所述余裕读取验证的电压水平与所述多个单元的正常读取验证电压水平不同；以及

当在所述阵列完整性检查期间所述多个单元显示所述无法校正的纠错码(ECC)读取的时候，给所述多个单元提供即将发生的读取失败的指示，

其中向所述多个单元施加批量读取应力的步骤还包括：

在预定持续时间内，将高于正常读取电压的栅极偏压施加到所述多个单元的所有偶数栅极，以及将漏极偏压施加到所述多个单元的所有偶数漏极；以及

在所述预定持续时间内，将所述栅极偏压施加到所述多个单元的所有奇数栅极，以及将所述漏极偏压施加到所述多个单元的所有奇数漏极，其中所述栅极偏压的值处于4.2V到6.0V之间的范围内，以及所述漏极偏压的值处于0.0V与0.5V之间的范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

当在所述批量读取应力之后所述多个单元在没有纠错码(ECC)校正的情况下通过初始阵列完整性检查的时候，给所述多个单元提供读取通过的指示，其中所述确定的步骤只发生在当所述初始阵列完整性检查期间所述多个单元在所述正常读取验证电压水平处显示能够校正的纠错码(ECC)读取的时候。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述余裕读取验证电压水平比所述正常读取验证电压水平高0.5V或者比所述正常读取验证电压水平低0.5V。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极偏压是6V，所述漏极偏压是0.5V，以及所述预定持续时间处于3到6分钟之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中施加批量读取应力的步骤还包括：

在预定持续时间内，将高于正常读取电压的栅极偏压施加到所述多个单元的所有栅极，以及将漏极偏压施加到所述多个单元的所有漏极。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在施加所述批量读取应力之前，编程特定的数据样式，其中所述数据样式是物理棋盘状模式或者反向的物理棋盘状模式。

7.一种在非易失性存储器阵列中检测即将发生的读取失败的方法，包括：

向非易失性存储器阵列的多个单元施加批量读取应力；

在所述批量读取应力之后，在正常读取验证电压水平处执行非易失存储器阵列的初始阵列完整性检查；

确定在不使用纠错码(ECC)校正的情况下，对所述多个单元的所述初始阵列完整性检查在所述正常读取验证电压水平处是否通过；

当在不使用纠错码(ECC)校正的情况下所述多个单元的所述初始阵列完整性检查在所述正常读取验证电压水平处未通过的时候，确定所述多个单元是否是纠错码(ECC)能够校正的；

当所述多个单元是纠错码(ECC)能够校正的时候，在余裕读取验证电压水平处执行所述多个单元阵列的后续完整性检查，其中所述正常读取验证电压不同于所述余裕读取验证电压水平；以及

当在所述后续阵列完整性检查期间所述多个单元显示无法校正的纠错码(ECC)读取的时候，指示所述多个单元的即将发生的读取失败，

其中向所述多个单元施加批量读取应力的步骤还包括：

在预定持续时间内，将高于正常读取电压的栅极偏压施加到所述多个单元的所有偶数栅极，以及将漏极偏压施加到所述多个单元的所有偶数漏极；以及

在所述预定持续时间内，将所述栅极偏压施加到所述多个单元的所有奇数栅极，以及将所述漏极偏压施加到所述多个单元的所有奇数漏极，其中所述栅极偏压的值处于4.2V到6.0V之间的范围内，以及所述漏极偏压的值处于0.0V与0.5V之间的范围内。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述余裕读取验证电压水平比所述正常读取验证电压水平高0.5V。