[发明专利]半导体基板的高原结构成形方法在审
| 申请号： | 201310205686.3 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104217996A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 汪可震 | 申请（专利权）人： | 力神科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;常大军 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 高原 结构 成形 方法 | ||
1.一种半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，包含步骤：
决定多个预定分裂线于一半导体基板的一表面上的布局，该些预定分裂线用以分裂该半导体基板成多个半导体芯片；
依据该些预定分裂线的布局决定多个预定切割位置；
决定一预定切割深度，使该预定切割深度大于该半导体基板的一半导体接面与该半导体基板的该表面之间的距离；
根据该些预定切割位置及该预定切割深度，以一刀具切割该半导体基板的该表面，而形成多个沟槽；及
抛光该些沟槽的底部。
2.根据权利要求1所述的半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，该刀具对应每一该些预定切割位置重复切划该半导体基板的该表面而形成该些沟槽。
3.根据权利要求1所述的半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，每一该些沟槽的一开口宽度为0.005英寸至0.01英寸。
4.根据权利要求1所述的半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，该预定切割深度为120微米至150微米。
5.根据权利要求1所述的半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，该些沟槽的底部的宽度小于其开口的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，该抛光该沟槽的底部包含：一蚀刻步骤。
7.根据权利要求1或6所述的半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，更包含：一清洗步骤。
8.根据权利要求1所述的半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，该刀具为一钻石刀及一轮刀其中之一。
9.根据权利要求1所述的半导体基板的高原结构成形方法，其特征在于，每一该些半导体芯片具有两个该预定切割位置。
10.根据权利要求1所述的半导体基板的高原结构形成方法，其特征在于，每一该预定切割位置位于该些预定分裂线的其中之一上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力神科技股份有限公司，未经力神科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310205686.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种定向导流器
- 下一篇：一种烟气的水分回收系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
