[发明专利]制造用于半导体器件的薄膜粘结衬底的方法

权利要求书

1.一种制造用于半导体器件的薄膜粘结衬底的方法，所述方法包括：

在由块晶体构成的第一衬底上外延生长一外延生长层；

裂解所述第一衬底，从而在所述外延生长层上留下晶体薄膜，所述晶体薄膜是从所述第一衬底分离出的；以及

将第二衬底粘结至所述晶体薄膜，所述第二衬底的化学成分与所述第一衬底的化学成分不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中裂解所述第一衬底包括：在裂解所述第一衬底之前，将第三衬底粘结至所述外延生长层。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：在将第二衬底粘结至所述晶体薄膜之后，移除所述第三衬底。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述外延生长层和所述第三衬底通过粘合剂彼此粘结。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述外延生长层和所述第三衬底通过加热和压紧彼此直接粘结。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述晶体薄膜包括：

向所述第一衬底中距离所述第一衬底的与所述外延生长层的一个表面相邻的一个表面的预定深度注入离子，从而在所述第一衬底中形成离子注入层；

将第三衬底粘结至所述外延生长层的另一表面；以及

沿所述离子注入层裂解所述第一衬底，从而在所述外延生长层的所述一个表面上留下所述晶体薄膜，所述晶体薄膜是从所述第一衬底分离出的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中注入离子包括：在距所述第一衬底的所述一个表面0.1μm至100μm范围的厚度处形成所述离子注入层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述离子包括从氢、氦和氮所组成的组中选择的一种离子。

9.根据权利要求6所述的方法，其中裂解所述第一衬底包括对所述离子注入层进行热处理。

10.根据权利要求6所述的方法，其中裂解所述第一衬底包括切割所述离子注入层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶体块包括氮化物半导体。

12.根据权利要求1所述的方法，其中外延生长一外延生长层包括：以具有多量子阱层和堆叠在所述多量子阱层上的p型覆层的堆叠结构生长所述外延生长层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述p型覆层包括氮化物半导体材料。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述晶体薄膜包括n型覆层。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在将第二衬底粘结至所述晶体薄膜之前，在所述第二衬底的待粘结所述晶体薄膜的一个表面上沉积反射层。