[发明专利]用于信号放大的具有双栅极生物场效应晶体管的系统和方法有效
| 申请号： | 201310192704.9 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103426930A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘怡劭;拉希德·巴希尔;赖飞龙;郑钧文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 信号 放大 具有 栅极 生物 场效应 晶体管 系统 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，具有源极区域、沟道区域和漏极区域；
第一栅极结构，设置在所述衬底的第一表面上，所述第一栅极结构包括导电层和第一介电层；以及
第二栅极结构，设置在所述衬底的第二表面上，所述第二栅极结构包括第二介电层，其中，所述源极区域、所述沟道区域和所述漏极区域从所述第一表面延伸到所述第二表面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，与所述第一栅极结构相关的电容大于与所述第二栅极结构相关的电容。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二栅极结构进一步包括受体材料层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层的有效厚度小于所述第二介电层的有效厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层由第一材料形成，所述第二介电层由第二材料形成。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层的介电常数大于所述第二介电层的介电常数。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，与所述第一栅极结构相关的跨导大于与所述第二栅极结构相关的跨导。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，与所述第一栅极结构相关的亚阈值摆幅小于与所述第二栅极结构相关的亚阈值摆幅。
9.一种提供半导体器件的方法，所述方法包括：
掺杂衬底的前面以形成源极区域、沟道区域和漏极区域；
在所述衬底的前面上且在所述沟道区域上方形成第一栅极结构，所述第一栅极结构具有第一电容；
从所述衬底的背面去除材料以露出所述源极区域、所述沟道区域和所述漏极区域；以及
在所述衬底的背面上的露出的所述沟道区域上方形成第二栅极结构，所述第二栅极结构具有第二电容，所述第二电容低于所述第一电容。
10.一种生物实体感测器件，包括：
第一半导体器件，包括：
衬底，具有源极区域、沟道区域和漏极区域；
第一栅极结构，设置在所述衬底的第一表面上，所述第一栅极结构包括导电层和第一介电层；和
第二栅极结构，设置在所述衬底的第二表面上，所述第二栅极结构包括第二介电层，其中，所述源极区域、所述沟道区域和所述漏极区域从所述第一表面延伸到所述第二表面；以及
感测放大器，与所述第一半导体器件相连接。
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