[发明专利]一种低导磁磁芯及其制造方法和用途有效
| 申请号: | 201310191315.4 | 申请日: | 2013-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN103258612B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
| 发明(设计)人: | 卢志超;李准;王贤艳;冯硕;吴晓荣;李德仁 | 申请(专利权)人: | 安泰科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01F1/147 | 分类号: | H01F1/147;H01F27/26;H01F27/25;H01F41/02 |
| 代理公司: | 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙)11248 | 代理人: | 张小娟 |
| 地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 低导磁磁芯 及其 制造 方法 用途 | ||
1.一种低导磁磁芯,该磁芯由铁磁软磁合金制成,其特征在于:所述合金的分子式为FeaMbCucSidBeM’fXg,其中M是Ni和Co,M’是元素V、Ti、Zr、Nb、Mo、Cr、Hf、Ta、W中的至少一种,X表示P、Ge、C以及杂质,以原子百分比为单位a、b、c、d、e、f、g满足以下条件:
5≤b≤40;0.05≤c≤0.1;1≤d≤8;10≤e≤20; 0.5≤f≤5;0≤g≤0.5;10≤d+e≤25;a=100-b-c-d-e-f-g;
所述合金在制造过程中在晶化温度以下进行去应力热处理,使用状态的微观结构为非晶态;
该低导磁磁芯具有以下磁性能:矫顽力磁场强度Hc的值小于10Am-1。
2.如权利要求1所述的低导磁磁芯,其特征在于:其中7≤b≤29;3.8≤d≤8;14≤e≤20; 1≤f≤1.2。
3.如权利要求1所述的低导磁磁芯,其特征在于:所述磁芯由厚度小于40μm的带材卷绕而成。
4.如权利要求1所述的低导磁磁芯,其特征在于:所述磁芯的剩磁比小于0.1。
5.如权利要求1所述的低导磁磁芯,其特征在于:所述磁芯的相对磁导率500<μ< 5000。
6.如权利要求1所述的低导磁磁芯,其特征在于:所述磁芯的8000Am-1的磁通密度B8000大于1.1T。
7.如权利要求1所述的低导磁磁芯,其特征在于:所述磁芯为封闭的、无空气隙的环形铁芯、椭圆铁芯或矩形铁芯。
8.如权利要求1所述的低导磁磁芯,其特征在于:所述磁芯在表层喷涂一层不渗透至内部的有机粘结材料作为防护层。
9.如权利要求1所述的低导磁磁芯,其特征在于:所述磁芯由软弹性反应粘结材料和/或软塑性不反应粘结材料固定在护盒的槽中。
10.一种如上述权利要求之一所述的低导磁磁芯的制造方法,其特征在于:它包括如下步骤:
(1)通过单辊快淬法对所述组分的合金进行合金熔体的喷制,形成非晶态合金薄带;
(2)按照需要进行带材定宽辊剪,然后进行卷绕制成一定尺寸的铁芯;
(3)对铁芯在惰性气体、氮氢混合气或真空中升温至晶化温度以下进行去应力热处理; 热处理温度为350℃~500℃,热处理的总时间低于2小时,热处理时的平均升温速率为1~50℃/分,平均冷却速度为1~40℃/分;
(4)在热处理过程中,在保温阶段沿磁芯高度方向的施加磁场强度大于20KAm-1的横向磁场,同时,在350℃~500℃的温度保持2小时以下的时间,冷却至室温出炉时关闭磁场,得到该低导磁磁芯;
其中,所述合金使用状态的微观结构为非晶态;
所述磁芯的矫顽力磁场强度Hc的值小于10Am-1。
11.如权利要求10所述的低导磁磁芯的制造方法,其特征在于:步骤(1)中,所述合金薄带的表面粗糙度Ra小于5μm。
12.如权利要求10所述的低导磁磁芯的制造方法,其特征在于:步骤(2)中,所述铁芯由具有小于40μm的厚度的带材卷绕成封闭的、无空气隙的环形铁芯、椭圆铁芯或矩形铁芯。
13.如权利要求10所述的低导磁磁芯的制造方法,其特征在于:步骤(3)中,热处理时的平均升温速率为5~20℃/分,平均冷却速度为1~20℃/分。
14.如权利要求10所述的低导磁磁芯的制造方法,其特征在于:所述磁芯在表层喷涂一层不渗透至铁芯内部的有机粘结材料作为铁芯的防护层。
15.一种如权利要求1所述的低导磁磁芯的用途,其特征在于:用于1)检测正弦半波交流电流的电流互感器,2)具有强抗饱和能力的电流补偿扼流圈。
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