[发明专利]基于MEMS的电化学地震检波器电极敏感核心及其制造方法

权利要求书

1.一种电化学地震检波器电极敏感核心，其特征在于，所述电极敏感核心由两层第一电极层(2)、两层第二电极层(4)、两层第一绝缘层(1)、两层第二绝缘层(3)和一层第三绝缘层(5)交替堆叠而成，其中：

所述电极层(2，4)和所述绝缘层(1，3，5)上均布有多个通孔；

所述电极层(2、4)由硅基材料或者金属材料制成；

所述绝缘层(1、3、5)由硅基材料、玻璃、石英或者陶瓷制成；

所述第一绝缘层(1)、第一电极层(2)、第二绝缘层(3)、第二电极层(4)、第三绝缘层(5)、第二电极层(4)、第二绝缘层(3)、第一电极层(2)和第一绝缘层(1)从上向下通过粘合或键合的方式依次堆叠起来。

2.根据权利要求1所述的电极敏感核心，其特征在于，所述通孔为方形、圆形或者其他形状。

3.根据权利要求1所述的电极敏感核心，其特征在于，所述第一电极层(2)和第二电极层(4)的长度不一致、所述第一绝缘层(1)、第二绝缘层(3)和第三绝缘层(5)的长度不一致以便于引出电极引线。

4.根据权利要求3所述的电极敏感核心，其特征在于，所述第一电极层(2)的长度小于第二电极层(4)的长度，所述第一绝缘层(1)的长度小于第二绝缘层(3)的长度，所述第二绝缘层(3)的长度小于第三绝缘层(5)的长度。

5.根据权利要求1所述的电极敏感核心，其特征在于，所述电极层和绝缘层均为矩形薄片。

6.一种基于MEMS的电化学地震检波器电极敏感核心的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤S1，采用MEMS加工方法制备第一电极层(2)和第二电极层(4)；

步骤S2，采用MEMS加工方法制备第一绝缘层(1)，第二绝缘层(3)和第三绝缘层(5)；

步骤S3，将所述第一绝缘层(1)、第一电极层(2)、第二绝缘层(3)、第二电极层(4)、第三绝缘层(5)、第二电极层(4)、第二绝缘层(3)、第一电极层(2)和第一绝缘层(1)从上向下依次堆叠起来得到所述电极敏感核心。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括以下步骤：

步骤S11，在衬底单晶硅(6)上旋涂光刻胶(7)，光刻、显影出多孔图案，光刻时，第一电极层(2)与第二电极层(4)所用的掩模板上的图案的长度不同，使得光刻、显影后第一电极层(2)与第二电极层(4)的长度不同；

步骤S12，在衬底单晶硅(6)上用深刻蚀制作多个通孔，然后去掉光刻胶(7)；

步骤S13，以热氧化方法在单晶硅(6)表面生长氧化硅(8)；

步骤S14，在氧化硅(8)的表面溅射铂金(9)得到所述第一电极层(2)和第二电极层(4)。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括以下步骤：

步骤S21，在衬底单晶硅(6)上旋涂光刻胶(7)，光刻、显影出多孔图案，光刻时，第一绝缘层(1)，第二绝缘层(3)和第三绝缘层(5)所用的掩模板上的图案的长度不同，使得光刻、显影后第一绝缘层(1)，第二绝缘层(3)和第三绝缘层(5)的长度不同；

步骤S22，在衬底单晶硅(6)上用深刻蚀制作多个通孔，然后去掉光刻胶(7)；

步骤S23，以热氧化方法在单晶硅(6)表面生长氧化硅(8)，得到第一绝缘层(1)，第二绝缘层(3)和第三绝缘层(5)。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通孔为方形、圆形或者其他形状。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述电极层和绝缘层均为矩形薄片。