[发明专利]闪存存储器的制备方法

权利要求书

1.一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法在依次形成位于浮栅上的介质层和控制栅之前至少包括：

1）提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中通过制备隔离结构以隔离出有源区，并在所述有源区上依次形成隧穿氧化层及浮栅，而后进行平坦化处理； 

2）对所述隔离结构进行湿法刻蚀，直至距所述浮栅表面第一深度处，在浮栅间形成沟槽以暴露出部分浮栅；

3）在步骤2）形成的结构表面形成氧化硅阻挡层；

4）对步骤3）形成的结构进行干法刻蚀，直至暴露出浮栅表面，并在所述浮栅之间的隔离结构中形成距浮栅表面第二深度且横截面为倒梯形的沟槽，此时，浮栅侧壁上仍保留有部分氧化硅阻挡层，其中，所述第二深度大于第一深度；

5）对所述步骤4）形成的结构继续进行湿法刻蚀，去除剩余的所述氧化硅阻挡层及部分隔离结构，直至该隔离结构的表面与有源区顶部的沟道拐角之间的最短距离为第一距离截止，以在所述浮栅之间的隔离结构中形成距浮栅表面第三深度的沟槽。

2.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述第一距离的范围为20~50nm。

3.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：第一深度与第三深度的比值范围是0.2~0.7。

4.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述氧化硅阻挡层的厚度范围为2.5~25nm。

5.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述第二深度与第一深度的差值范围是5~15nm。

6.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述隔离结构为浅沟槽隔离或绝缘介质隔离。

7.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述隔离结构的材料为氧化硅。

8.根据权利要求7所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述湿法刻蚀时采用氢卤酸或醋酸溶液，其中，所述氢卤酸至少包括氢氟酸或氢溴酸。

9.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀至少包括反应离子刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀或高浓度等离子体刻蚀。

10.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底材料可为硅、硅锗、绝缘层上硅、绝缘层上硅锗或绝缘层上锗。