[发明专利]一种窄带隙给受体材料及其应用

权利要求书

1.一种窄带隙给受体材料，其特征在于该材料以三并茚为核、以噻吩-苯噻唑衍生物为枝臂、咔唑基团封端的星型多取代化合物，其通式结构如下式I所示：

通式I中，X为芳环结构，其具体如下列结构：

其中，R为C₁?C₁₂的烷基，C₁?C₁₂的烷氧基；N是氮原子，S是硫原子。

2.一种如权利要求1所述的窄带隙给受体材料的应用，其特征在于该材料应用于有机电致发光器件、有机电存储器件、有机场效应晶体管或有机太阳能电池；有机电致发光器件结构为阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子传输层/阴极，其中窄带隙给受体材料作为发光层；有机电存储器件结构为顶电极/功能存储层/玻璃基底，其中窄带隙给受体材料作为功能存储层。