[发明专利]磁头测试方法及测试装置

说明书

本发明公开一种磁头的测试方法，包括以下步骤：（1）以与所述纵向偏压场相同的第一方向向所述磁头施加具有恒定强度的第一磁场，同时以穿过所述空气承载面的第二方向施加具有变化强度的第二磁场，并测量第一噪声；（2）以与所述第一方向相反的第三方向向所述磁头施加具有恒定强度的第三磁场，同时施加具有所述第二方向的所述第二磁场，并测量第二噪声；（3）分析所述第一噪声和所述第二噪声之间的噪声变化。本发明能准确检测出具有不良噪声特性及不稳定性能的缺陷磁头。

技术领域

本发明涉及一种测试磁头性能的方法，尤其涉及一种磁头的噪声测试方法，从而检测出缺陷磁头，以及一种噪声测试装置。

背景技术

随着磁盘驱动装置的容量逐渐增加、尺寸逐渐缩小，当前需要更高灵敏度和高分辨率的薄膜型磁头迎合此需求。例如，现广泛应用的巨磁效应（GMR）薄膜型磁头，其具有的GMR读头元件包括由磁化固定层和磁化自由层等的多层结构；又如现正投入实际应用的隧道磁阻效应（TMR）薄膜型磁头，其具有更高灵敏度和更高分辨率的TMR读头元件。

当前，磁阻（magnetoresistive,MR）读头由于其内嵌有一个更高灵敏度的MR元件而广泛应用在主流磁头中。磁头在使用前，必须进行一系列的性能测试，如动态飞行高度（dynamic flying height,DFH）性能、信噪比（Signal-to-Noise Ratio,SNR）性能、可靠性、稳定性等。特别地，当噪声产生时，磁头的性能被影响，例如，飞行高度不稳定且难以控制，从而降低磁头稳定性，进而降低磁头读取性能。

因此，在磁头产品投入使用之前必须进行噪声测试。其中一种常用的方法是通过测量响应于外加磁场而产生的噪声从而判断磁头是否合格。由此，可获得磁头的噪声图并测量出该磁头的噪声水平，从而判断该磁头是否合格。

下述方法是一种通过施加与纵向偏压场相同方向的外部磁场而进行测试MR读头的传统方法。如图1所示，该MR读头10包括两个硬磁112、层夹于两个硬磁112之间的MR元件114、以及放置于MR元件114和硬磁112两边的两个屏蔽层116。该MR元件114包括第一铁磁层121、第二铁磁层122以及与第二铁磁层122物理接触的反铁磁层（anti-ferromagnetic，AFM）122以提供在这些层体的界面处交换耦合而产生的交换偏压磁场。由于第二铁磁层122的磁化方向由交换耦合而被约束和保持，因此该第二铁磁层122也被称作“钉扎层”122。一般而言，第一铁磁层121的磁化方向受控于硬磁112提供的纵向偏压磁场。当施加在MR读头上的外部磁场足够大以补偿纵向偏压磁场，则第一铁磁层121的磁化方向则会相应于该外部磁场而发生自由旋转，因此该第一铁磁层121也被称作“自由层”121。该自由层121的磁化方向在平行于或反平行于钉扎层122的磁化方向上变化，从而测量到MR读头的特性。

在MR读头中，纵向偏压场的强度会影响由磁畴边缘的浮动或位移而产生的噪声。若施加到自由层的纵向偏压场过小，则噪声很容易产生；若施加到自由层的纵向偏压场过大，则自由层的磁化方向的改变显得十分困难，从而使MR读头的灵敏度降低。因此，利用与纵向偏压场相同的测试磁场十分难以控制，而且测试结果不准确，测试效率较低。

因此，亟待一种改进的磁头测试方法及测试装置，以克服上述缺陷。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种磁头的测试方法，其能准确检测出具有不良噪声特性及不稳定性能的缺陷磁头。

本发明的另一个目的在于提供一种磁头的测试装置，其能准确检测出具有不良噪声特性及不稳定性能的缺陷磁头。