[发明专利]一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池

权利要求书

1.一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于：由衬底、一维光子晶体背反射器、背电极、n型氢化非晶硅、本征氢化非晶硅、p型氢化非晶硅和前电极组成叠层结构，其中一维光子晶体背反射器是由低折射率介质和高折射率介质周期性交叠构成，周期数大于等于两个整数周期，背电极和前电极为高透过、高电导、低吸收的透明导电膜并作为电流引出电极。

2.根据权利要求1所述光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于：所述衬底为玻璃、不锈钢或塑料。

3.根据权利要求1所述光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于：所述一维光子晶体背反射器中的低折射率介质为氧化硅膜，氧化硅膜采用RF-PECVD制备，气源采用硅烷、氢气和二氧化碳，折射率为1.4-2.0，厚度为50-500nm；高折射率介质为与硅基薄膜工艺兼容的氢化非晶硅膜，氢化非晶硅膜同样采用RF-PECVD制备，气源采用硅烷和氢气，折射率为3.0-5.0，厚度为10-100nm。

4.根据权利要求1所述光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于：所述透明导电膜为掺铝氧化锌膜或氧化铟锡膜。

5.根据权利要求1所述光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于：所述本征氢化非晶硅厚度为200-400nm。