[发明专利]一种电子捕获存储单元有效
| 申请号： | 201310164838.X | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104143552B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 吴楠;冯骏 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/792;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 捕获 存储 单元 | ||
1.一种电子捕获存储单元，包含沟道(26)以及相邻两个所述沟道之间的绝缘层(25)，其特征在于，还包含：
沟道控制栅(27)，设置在所述绝缘层(25)中，并且为电的良导体；
其中，所述沟道控制栅(27)用于控制位于所述沟道(26)两侧的第一存储沟道(261)和第二存储沟道(262)的打开和关闭。
2.根据权利要求1所述的电子捕获存储单元，其特征在于，每个所述绝缘层(25)中的所述沟道控制栅(27)的个数为1。
3.根据权利要求2所述的电子捕获存储单元，其特征在于，
每个所述沟道控制栅(27)，用于控制相邻一侧的沟道的第二存储沟道(262)的打开和关闭，并且控制相邻另一侧的沟道的第一存储沟道(261)的打开和关闭。
4.根据权利要求1所述的电子捕获存储单元，其特征在于，每个所述绝缘层(25)中的所述沟道控制栅(27)的个数为2。
5.根据权利要求4所述的电子捕获存储单元，其特征在于，
一个所述沟道控制栅用于控制相邻一侧的沟道的第二存储沟道(262)的打开和关闭，另一个所述沟道控制栅用于控制相邻另一侧的沟道的第一存储沟道(261)的打开和关闭。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电子捕获存储单元，其特征在于，所述沟道控制栅(27)为Cu，W，Al，Ta金属，或者为TiNx，WNx，CoSix,NiSix,TiSix化合物。
7.根据权利要求1-5任一项所述的电子捕获存储单元，其特征在于，所述电子捕获存储单元的存储单元(23)为断开的。
8.根据权利要求1-5任一项所述的电子捕获存储单元，其特征在于，所述电子捕获存储单元的存储单元(23)为连续的。
9.根据权利要求1-5任一项所述的电子捕获存储单元，其特征在于，所述电子捕获存储单元为SONOS存储单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
