[发明专利]一种II型III-V族量子点材料的生长方法无效
| 申请号： | 201310157823.0 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103225109A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 崔凯;马文全;张艳华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ii iii 量子 材料 生长 方法 | ||
1.一种II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1：在衬底上生长缓冲层；
步骤2：降温到量子点的生长温度，向生长有缓冲层的衬底喷射第一种V族元素，使生长有缓冲层的衬底周围充满该第一种V族元素；
步骤3：将喷射的元素切换为第二种V族元素，使生长有缓冲层的衬底周围充满该第二种V族元素；
步骤4：淀积II型III-V族量子点材料；
步骤5：向生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底喷射第二种V族元素，使生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底周围充满该第二种V族元素；
步骤6：降温到中间温度，同时向生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底喷射第二种V族元素；
步骤7：关闭喷射第二种V族元素，降温到室温。
2.根据权利要求1所述的II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤1中所述在衬底上生长缓冲层，采用的是分子束外延技术或金属有机物气相外延技术。
3.根据权利要求1所述的II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤1中所述衬底，采用的材料是III-V族半导体材料。
4.根据权利要求1或3所述的II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤1中所述缓冲层，采用的材料与衬底材料相同。
5.根据权利要求1所述的II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤2中所述第一种V族元素与构成缓冲层材料的V族元素相同。
6.根据权利要求1所述的II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤4中所述II型III-V族量子点材料是具有II类异质结构的III-V族量子点材料。
7.根据权利要求1所述的II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤3中所述第二种V族元素与构成步骤4中所述II型III-V族量子点材料的V族元素相同。
8.根据权利要求1所述的II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤4中所述淀积II型III-V族量子点材料是在保持V族元素喷射的同时开始喷射III族元素。
9.根据权利要求1所述的II型III-V族量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤6中所述中间温度比量子点生长温度低200℃至300℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310157823.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种海上基础支撑结构及其施工方法
- 下一篇：一种塑料镀铜
