[发明专利]阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201310143402.2 申请日: 2013-04-23
公开(公告)号: CN103217846A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 高山;李凡 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板和包括所述阵列基板的显示装置。

背景技术

液晶显示器因具有体积小、功耗低、辐射低等特点,已在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。在液晶显示器技术领域中,TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。

TFT-LCD一般由制作完成的阵列基板和彩膜基板对盒组装并灌注液晶而成,其一般采用行列矩阵驱动模式,如图1所示,通过设置在阵列基板上的扫描线(也称为栅线)和数据线依次为各行亚像素区内的薄膜晶体管充电,从而显示色彩,其中,每个亚像素区均包括一个薄膜晶体管,每行亚像素区中各薄膜晶体管的栅极均连接至同一扫描线,源极连接至不同的数据线,且每两行相邻的亚像素区之间均设置有一根扫描线;图1中,Ga n代表第n根扫描线,Dr n代表第n根数据线,n为大于1的正整数,M代表薄膜晶体管,M11代表分别与第一根扫描线和第一根数据线相连的薄膜晶体管。

在TFT-LCD的各项参数中,开口率(aperture ratio,指的是每一个亚像素区中除去配线和薄膜晶体管后光线能够通过的部分的面积和该亚像素区整体的面积之间的比例)是影响屏幕亮度与功耗的重要因素,开口率越高,光透过率也越高,在相同背光源的条件下,屏幕的亮度就会越高,并且,在TFT-LCD中背光源的功耗占整个电源输出的60%左右,提高开口率可在满足屏幕亮度的前提下降低背光源的功耗,从而降低整个TFT-LCD的功耗。因此,如何在工艺条件许可的情况下进一步提高开口率成为行业内亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷,提供一种与现有技术相比具有较高开口率的阵列基板和包括所述阵列基板的显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案:

所述阵列基板包括衬底基板,设置在衬底基板上的横纵交错的多根扫描线和多根数据线、以及均匀排列的多个亚像素区,每个亚像素区均包括一个薄膜晶体管,其中,

相邻两行亚像素区作为一个像素行组,以形成沿纵向排列的多个像素行组,每个像素行组内的两行亚像素区之间和/或每两个相邻的像素行组之间设置有两根扫描线,所述两根扫描线分别与其相邻的两行亚像素区中的一行亚像素区内的薄膜晶体管的栅极电连接,所述两根扫描线部分重叠且相互绝缘,以减少其在衬底基板上所占空间;

或者,相邻两列亚像素区作为一个像素列组,以形成沿横向排列的多个像素列组,每个像素列组内的两列亚像素区之间或每两个相邻的像素列组之间设置有两根数据线,所述两根数据线分别与其相邻的两列亚像素区中的一列亚像素区内的薄膜晶体管的源极电连接,所述两根数据线部分重叠且相互绝缘,以减少其在衬底基板上所占空间。

优选地,每个像素行组内的两行亚像素区之间或每两个相邻的像素行组之间设置有两根扫描线,每一列亚像素区内的薄膜晶体管的源极均与同一数据线电连接。

优选地,每个像素行组内的两行亚像素区之间和每两个相邻的像素行组之间均设置有两根扫描线,每个像素列组中的两列亚像素区之间设置有一根数据线,且该像素列组中的所有亚像素区内的薄膜晶体管的源极均与该数据线电连接。

优选地,每个像素列组内的两列亚像素区之间或每两个相邻的像素列组之间设置有两根数据线,每一行亚像素区内的薄膜晶体管的栅极均与同一扫描线电连接。

优选地,设置在每个像素行组内的两行亚像素区之间和/或每两个相邻的像素行组之间的两根扫描线分别为,与该两根扫描线相邻的两行亚像素区中的一行亚像素区内的所有薄膜晶体管的栅极电连接的第一扫描线,和与该两根扫描线相邻的两行亚像素区中的另一行亚像素区内的所有薄膜晶体管的栅极电连接的第二扫描线;

所述第一扫描线和其对应的薄膜晶体管的栅极位于同一层并采用相同的膜层形成;

所述阵列基板还包括多个像素电极,每个像素电极均与一个薄膜晶体管的漏极电连接;所述多根数据线、多根扫描线及多个像素电极之间相互绝缘;所述第二扫描线包括重叠部和非重叠部,所述重叠部为第二扫描线中与第一扫描线重叠的部分,且所述重叠部和数据线或像素电极位于同一层并采用相同的膜层形成;所述非重叠部为第二扫描线中与第一扫描线非重叠的部分,所述非重叠部与第二扫描线对应的薄膜晶体管的栅极电连接,且所述非重叠部与第二扫描线对应的薄膜晶体管的栅极位于同一层并采用相同的膜层形成;

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