[发明专利]一种球栅阵列结构PCB的激光切割方法

权利要求书

1.一种球栅阵列结构PCB的激光切割方法，包括以下步骤：

S1、将球栅阵列结构PCB固定在切割冶具上；

S2、设定激光参数；

S3、调试激光发射装置，进行激光切割；

S4、切割完成后使用中频等离子清洗机清洗球栅阵列结构PCB；

其特征在于：

所述步骤S2中激光的波长为345—365nm，脉冲为40—80kHz，加工速度为750—820mm/s；

所述步骤S3中的激光切割采用正反面切割的方式，设定正面激光发射装置的打开时间为0.1—0.3ms，闭合时间为0.1—0.3ms，延时为0.03—0.05ms，跳跃延时为0.2—0.3ms，激光发数为4发；设定反面激光发射装置的打开时间为0.05—0.15ms，闭合时间为0.05—0.15ms，延时为0.01—0.03ms，跳跃延时为0.15—0.25ms，激光发数为2发；

所述步骤S4中清洗机的各项参数设定为：氧气的释放速度是0或800CC/min，氮气的释放速度是0或50CC/min，四氟甲烷的释放速度是0或50CC/min，氩气的释放速度是0或300CC/min，清洗时间为5—20min，清洗功率为3000或3500W，清洗温度为70℃。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中激光的波长为355nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中激光的频率为60kHz。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中激光的加工速度为780mm/s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中正面激光发射装置的打开时间为0.2ms，闭合时间为0.2ms，延时为0.04ms，跳跃延时为0.25ms，反面激光发射装置的打开时间为0.1ms，闭合时间为0.1ms，延时为0.02ms，跳跃延时为0.2ms。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中清洗机的参数设定为氧气的释放速度是800CC/min，氮气的释放速度是50CC/min，四氟甲烷的释放速度是50CC/min，氩气的释放速度为0，清洗时间为20min，清洗功率为3500W，清洗温度为70℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中所述的切割冶具采用真空吸附的方式将球栅阵列结构PCB固定住。