[发明专利]光离子化检测器偏置电压产生电路有效

专利信息
申请号: 201310136292.7 申请日: 2013-04-18
公开(公告)号: CN103218002A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 刘晓军;叶伟立 申请(专利权)人: 华瑞科学仪器(上海)有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 余明伟
地址: 201815 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 离子化 检测器 偏置 电压 产生 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种偏置电压产生电路,特别是涉及一种光离子化检测器偏置电压产生电路。

背景技术

光离子化检测器(PID)可以检测易挥发性有机气体或化合物。通常,光离子化检测器要能正常工作,一定要有偏置电场,而偏置电场中的偏置电极上要有偏置电压才能使此偏置电场形成,在一般应用中,该直流偏置电压范围为10V至200V。由于光离子化检测器工作中所形成的信号电流极其微弱,为uA级,所以对偏置电路中工作元器件的功率要求较低。

光离子化检测器偏置电压产生电路的传统方式是利用变压器的升压原理产生交流高压,再通过整流滤波后得到光离子化检测器所需的直流偏置电压,如图2所示。

但是,传统的光离子化检测器偏置电压产生电路的电路结构复杂,所需元器件多,成本太高;并且不同的光离子化检测器所需的偏置电压不一样,当需要输出不同的偏置电压时,则需要进行设计更改,且涉及其它外围电路的调整,更改起来极为不便,可移植性比较差。

因此,基于以上不足,有必要提供一种简单的可移植性强且低成本的光离子化检测器偏置电压产生电路。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种结构简单的可移植性强且成本低的光离子化检测器偏置电压产生电路。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种光离子化检测器偏置电压产生电路,其包括:能量缓存部分,其包括电阻(R1)和电容(C1),该电阻的一端连接直流电压源(Vin),另一端连接该电容(C1)的一端,并该电阻(R1)与该电容(C1)的连接处形成一第一分接点a,而该电容(C1)的另一端连接接地端;升压电路,其包括电感(L1)、二极管(D1)、开关(S1)、电容(C2)和稳压管(D2),该电感(L1)的一端连接该第一分接点a,另一端连接该二极管(D1)的阳极,并与该二极管(D1)的阳极之间形成一第二分接点b,且该第二分接点b与该二极管(D1)的阳极之间形成一第三分接点c,该开关(S1)的两端分别连接该第二分接点b与接地端,该电容(C2)的两端分别连接该二极管(D1)的阴极与接地端,且在该电容(C2)与该二极管(D1)的阴极之间形成一电压输出点(Vout),该稳压管(D2)的阳极连接接地端,该稳压管(D2)的阴极连接该二极管(D1)的阴极或该第三分接点c;以及开关控制部分,其用于以一特定频率控制该开关(S1)的接通与断开,以使该电感(L1)两端产生高的反电动势,进而配合该二极管(D1)与电容(C2)的整流滤波以及该稳压管(D2)的稳压,而在该电压输出点(Vout)输出所需的直流偏置电压予该光离子化检测器,且选用不同稳压值的稳压管(D2),即能得到不同的直流偏置电压输出。

其中,该开关(S1)可例如为电子开关,而该电子开关可例如为晶体管、三极管或MOSFET管。该开关控制部分可例如为方波发生器。

如上所述,本发明的光离子化检测器偏置电压产生电路,具有以下有益效果:当所需要的偏置电压不同时,只需更换不同稳压值的稳压管即可实现,可移植性很强,而相对现有的偏置电压产生电路所用的电子器件少,成本低。

附图说明

图1A显示为本发明的光离子化检测器偏置电压产生电路的一实施例的电路结构图。

图1B显示为本发明的光离子化检测器偏置电压产生电路的另一实施例的电路结构图。

图2显示为现有的光离子化检测器偏置电压产生电路的电路结构图。

元件标号说明

11            能量缓存部分

13、13’      升压电路

15            开关控制部分

2             光离子化检测器

a             第一分接点

b             第二分接点

c             第三分接点

C1~C5        电容

D1、D3、D4    二极管

D2、D5        稳压管

L1            电感

R1~R7        电阻

S1            开关

具体实施方式

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