[发明专利]半导体封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，具体涉及一种半导体封装结构。

背景技术

通常的凸点加工工艺中，溅射层使用湿法进行蚀刻时，由于各项同性造成的侧面蚀刻始终是一个问题，当侧蚀过大时，会造成药液攻击底部的铝层，造成电性损失。现有的方法通过蚀刻设备和药水的配合来降低侧向蚀刻量。现有的方法存在操作难以控制，配合不好时仍然存在侧蚀过大的问题。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明实施例的目的是针对上述现有技术的缺陷，提供一种减小侧蚀的发生的半导体封装结构。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案是：

一种半导体封装结构，包括凸点，所述凸点的底部外围设有突起物；所述突起物的材质与所述凸点的材质相同；所述突起物与所述凸点在电镀过程中一次形成。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明通过在凸点底部设置突起物，突起物在湿法蚀刻时起到补偿的作用，减小侧蚀的发生，从而形成更加可靠的凸点封装结构。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的蚀刻前半导体封装结构的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的蚀刻后半导体封装结构的结构示意图。

附图标记：

1-凸点；2-突起物；3-凸点下金属层；4-铝层；5-硅片；6-钝化层；7-保护层；8-镍层；9-锡层。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参见图1，一种半导体封装结构，包括凸点1，凸点1的底部外围设有突起物2；突起物2的材质与凸点1的材质相同；突起物2与凸点1在电镀过程中一次形成。

本发明通过在凸点底部设置突起物，突起物在湿法蚀刻时起到补偿的作用，减小侧蚀的发生，从而形成更加可靠的凸点封装结构。突起物与凸点材质相同，可以在电镀过程中一次形成，便于加工。

本实施例在上述实施例的基础上，突起物2为中空的圆台形，环绕在凸点1的底部外围，突起物2的一侧截面为三角形面。

圆台形的中间空余部分，用于容纳凸点及UMB（凸点下金属层），突起物的一侧截面可以是如图1和图2所示的三角形，类似三角支撑的坡度结构，当然一侧的截面也可以是梯形面，设置上述结构的突起物减少侧蚀，增加结构的稳定性。

本实施例在上述实施例的基础上，凸点1底部设有凸点下金属层3，凸点下金属层3下部设有铝层4，铝层4下部设有硅片5。

通过设置突起物，在湿法蚀刻时，有效防止了药液攻击底部的铝层，造成电性损失。

本实施例在上述实施例的基础上，还包括钝化层6，铝层4延伸到凸点下金属层3下部以外，硅片5延伸到铝层4下部以外，钝化层6覆盖在硅片5上，并依次延伸到铝层4外围、凸点下金属层3下部以外的铝层4上及铝层4与部分凸点下金属层3之间。在本发明的结构中还可以设置钝化层，钝化层6为氧化硅或氮化硅。

本实施例在上述实施例的基础上，还可以在钝化层6上设有保护层7。保护层7优选为聚酰亚胺层。

本实施例在上述实施例的基础上，所述凸点的底部露出凸点下金属层，所述突起物的下端面位于所述保护层上，所述突起物的侧面将所述底部露出凸点下金属层覆盖。

本发明的突起物将侧部裸露的凸点下金属层覆盖，防止对底部的铝层造成腐蚀，造成电性损失。