[发明专利]用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料，其特征在于：所述Sn-Ge-Te薄膜材料的通式为Sn_xGe_yTe_z，其中0＜x≤22，37≤y≤53，39≤z≤42。

2.根据权利要求1所述用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料，其特征在于：优选通式为Sn₁₅Ge₄₃Te₄₂。

3.根据权利要求1所述用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料，其特征在于：所述Sn-Ge-Te薄膜材料采用溅射法、电子束蒸发法、化学气相沉积法、及原子层沉积法中的一种形成。

4.一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Sn-Ge-Te薄膜材料采用SnTe和GeTe合金靶共溅射形成；所述Sn-Ge-Te薄膜材料的通式为Sn_xGe_yTe_z，其中0＜x≤22，37≤y≤53，39≤z≤42。

5.根据权利要求4所述的用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Sn-Ge-Te薄膜材料采用SnTe和Ge_1.9Te合金靶共溅射形成。

6.根据权利要求5所述的用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Sn-Ge-Te薄膜材料采用功率在9W至25W之间的SnTe合金靶和功率为30W的Ge₁₉Te合金靶共溅射形成。

7.根据权利要求6所述的用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Sn-Ge-Te薄膜材料采用SnTe和Ge₁₉Te合金靶在溅射气压为0.20帕斯卡至0.25帕斯卡之间共溅射形成。

8.根据权利要求7所述的用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Sn-Ge-Te薄膜材料采用SnTe和Ge₁₉Te合金靶共溅射25分钟形成。