[发明专利]具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线无效
| 申请号： | 201310123791.2 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103236591A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 侯磊;董陈岗;杨汇鑫;施卫;陈素果;闫志巾 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学;东莞市五峰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q23/00 | 分类号： | H01Q23/00;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 欧姆 接触 电极 绝缘 gaas 电导 天线 | ||
【权利要求书】：
1.具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线，其特征在于：包括半绝缘砷化镓基片，半绝缘砷化镓基片上为正、负两个AuGeNi合金电极，半绝缘砷化镓基片可视为阻值较大的电阻RGaAs，两个AuGeNi合金电极可视为两个阻值较小的电阻ROhm，电阻RGaAs与两个电阻ROhm串联，ROhm＜＜RGaAs，电阻RGaAs的阻值为从几兆欧到几百兆欧，ROhm的阻值小于1欧姆。
2.如权利要求1所述的具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线，其特征在于：所述正、负两个AuGeNi合金电极之间的间隙为5μm-200μm。
3.如权利要求1所述的具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线，其特征在于：所述半绝缘砷化镓基片是利用液拉直封法制备的（100）晶向的SI-GaAs，其电阻率高于107Ω·cm；AuGeNi合金电极是通过电子束蒸发或磁控溅射在半绝缘砷化镓基片上分别沉积20-100nm的Ni，50-500nm的Au，20-100nm的Ge和50-100nm的Au，再在300℃-400℃的温度范围内快速退火使其合金化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学;东莞市五峰科技有限公司，未经西安理工大学;东莞市五峰科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310123791.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种玻璃门
- 下一篇：一种吸附杂质的移印机油盆结构
