[发明专利]一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法

权利要求书

1.一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，包括：

清洗硅衬底；

在硅衬底表面制备超小绒面；

从制备有超小绒面的硅衬底表面对硅衬底进行淡磷扩散；

在淡磷扩散后的硅衬底表面沉积一层Si₃N₄减反射膜；

利用激光烧蚀方法对硅衬底表面的超小绒面进行激光烧蚀，形成栅线电极的沟槽；

利用化学清洗方法对激光烧蚀区进行清洗，除去激光烧蚀区堆积物及激光烧蚀时造成的损伤层；

对激光烧蚀区进行二次浓磷扩散；以及

丝网印刷机在激光烧蚀区内采用精确对准方式印刷栅线电极。

2.根据权利要求1所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，所述清洗硅衬底的步骤，是使用标准清洗液RCA对硅衬底进行清洗，然后再用去离子水清洗，氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，所述在硅衬底表面制备超小绒面的步骤中，超小绒面是使用HF和双氧水混合溶液湿法腐蚀制备的。

4.根据权利要求3所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，所述在硅衬底表面制备超小绒面的具体过程包括：

将清洗后的硅衬底在HF和银盐溶液的混合溶液中腐蚀，时间30秒，然后将腐蚀后的硅衬底在HF和过氧化氢溶液的混合溶液中腐蚀3分钟，最后硅衬底浸泡在浓HNO₃中，去除残留的银颗粒，然后利用HF漂洗30秒，去离子水冲洗3遍以上，进而N₂吹干，得到带有超小绒面的硅衬底。

5.根据权利要求1所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，所述在淡磷扩散后的硅衬底表面沉积一层Si₃N₄减反射膜的步骤中，采用PECVD方法沉积Si₃N₄减反射膜，该Si₃N₄减反射膜的厚度为40nm-120nm。

6.根据权利要求1所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，所述利用激光烧蚀方法对硅衬底表面的超小绒面进行激光烧蚀形成栅线电极的沟槽的步骤中，激光波长为355nm、532nm或1064nm。

7.根据权利要求1所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，所述利用激光烧蚀方法对硅衬底表面的超小绒面进行激光烧蚀形成栅线电极的沟槽的步骤中，烧蚀宽度依据栅线设计的宽度而定，比栅线宽度宽10微米-20微米。

8.根据权利要求1所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，所述利用化学清洗方法对激光烧蚀区进行清洗，除去激光烧蚀区堆积物及激光烧蚀时造成的损伤层的步骤中，化学清洗方法采用的清洗腐蚀液为稀KOH溶液。

9.根据权利要求1所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，所述丝网印刷机在激光烧蚀区内采用精确对准方式印刷栅线电极的步骤中，丝网印刷具有的对准精度达到1微米。

10.根据权利要求1所述的用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法，其特征在于，该方法还包括：

丝网印刷机在激光烧蚀区内采用精确对准方式印刷栅线电极之后，对栅线电极进行退火处理。