[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包含TFT，所述TFT包括基板，以及在所述基板上依次形成的栅极，栅绝缘层，氧化物半导体层，刻蚀阻挡层，钝化层和像素透明导电氧化物层；

在位于所述氧化物半导体层上方的所述刻蚀阻挡层和所述钝化层上形成有两个第一通孔，分别暴露所述氧化物半导体层，所述氧化物半导体层暴露的区域形成源漏极区域；

所述像素透明导电氧化物层沉积在所述第一通孔中，与所述氧化物半导体层的源漏极区域接触以形成源漏极，且所述像素透明导电氧化物层还沉积在所述阵列基板的像素区域；所述源漏极区域之一和像素区域的像素透明导电氧化物层相连。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括在所述刻蚀阻挡层和所述钝化层之间形成的数据线；

在位于所述数据线上方的所述钝化层上形成有第二通孔，暴露所述数据线；

所述像素透明导电氧化物层沉积在所述第二通孔中，与所述数据线接触；

所述数据线与所述源漏极区域之一通过像素区域的像素透明导电氧化物层形成跨桥连接。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包含一驱动电路，所述驱动电路包括与所述栅极同层的第一导电层，以及与所述数据线同层的第二导电层；

在位于所述第一导电层上方的所述栅绝缘层、所述刻蚀阻挡层和所述钝化层形成第三通孔，暴露所述第一导电层；在位于所述第二导电层上方的所述钝化层形成第四通孔，暴露所述第二导电层；

所述像素透明导电氧化物层沉积在所述第三通孔和第四通孔中，分别与所述第一导电层、以及所述第二导电层接触，且所述第一导电层和所述第二导电层通过所述像素透明导电氧化物层形成跨桥连接。

4.如权利要求1～3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔开口为长方形。

5.如权利要求1～3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料为铟镓锌氧化物。

6.如权利要求1～3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述像素透明导电氧化物层的材料为氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上，沉积金属薄膜，利用第一掩膜板在该金属薄膜上光刻出栅极；

在栅极和基板上，沉积形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，利用第二掩膜板在该氧化物半导体薄膜上光刻出图案，形成氧化物半导体层；

在氧化物半导体层上沉积形成刻蚀阻挡层；

在刻蚀阻挡层上沉积金属薄膜，利用第三掩膜板在该金属薄膜上形成金属层，所述金属层包括数据线；

在金属层、刻蚀阻挡层上沉积形成钝化层，利用第四掩膜板在钝化层上光刻出第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述氧化物半导体层上方的所述刻蚀阻挡层和所述钝化层，暴露所述氧化物半导体层，所述氧化物半导体层暴露的区域形成源漏极区域，所述第二通孔位于所述数据线上方的所述钝化层，暴露所述数据线；

在钝化层上沉积透明导电氧化物薄膜，利用第五掩膜板在该透明导电氧化物薄膜上光刻出图案，形成像素透明导电氧化物层；

其中，所述像素透明导电氧化物层沉积在所述第一通孔和第二通孔中，分别与所述氧化物半导体层的源漏极区域、以及所述数据线接触，且所述数据线和氧化物半导体层的源漏极区域通过所述像素透明导电氧化物层形成跨桥连接。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属层还包括第二导电层；且，

利用第一掩膜板在该金属薄膜上光刻出栅极，具体包括：

利用第一掩膜板在该金属薄膜上光刻出栅极和第一导电层；

利用第四掩膜板在钝化层上光刻出第一通孔和第二通孔，具体包括：

利用第四掩膜板在钝化层上光刻出第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，其中，所述第三通孔位于所述第一导电层上方的所述栅绝缘层、所述刻蚀阻挡层和所述钝化层，暴露所述第一导电层；所述第四通孔位于所述第二导电层上方的所述钝化层，暴露所述第二导电层；

则，所述像素透明导电氧化物层还沉积在所述第三通孔和第四通孔中，分别与所述第一导电层、以及所述第二导电层接触，且所述第一导电层和所述第二导电层通过所述像素透明导电氧化物层形成跨桥连接。