[发明专利]液晶显示器及其双向移位暂存装置有效
| 申请号: | 201310115427.1 | 申请日: | 2013-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN104103244A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
| 发明(设计)人: | 游家华;林松君;刘轩辰;詹建廷 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G11C19/28 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶显示器 及其 双向 移位 暂存 装置 | ||
1.一种双向移位暂存装置,其特征在于,包括:
N级串接在一起的移位寄存器,其中第i级移位寄存器包括:
一预充电单元,接收第(i-2)级与第(i+2)级移位寄存器的输出,并据以输出一预充电信号,其中N为一预设正整数,i为大于等于3且小于等于N-2的正整数;
一上拉单元,耦接该预充电单元,接收该预充电信号与一第一输入时钟信号,并据以输出一扫描信号;以及
一下拉单元,耦接该预充电单元与该上拉单元,该下拉单元包括:
一第一放电单元,接收该预充电信号与一第二输入时钟信号,并据以决定是否将该扫描信号下拉至一参考电位;以及
一第二放电单元,接收该预充电信号与该第一输入时钟信号,并据以决定是否将该扫描信号维持于该参考电位,其中该第一输入时钟信号与该第二输入时钟信号互为反相;以及
一噪声抑制单元,耦接该第一放电单元,接收第(i-3)级与第(i+1)级移位寄存器的输出,并据以控制该第一放电单元的操作,其中当i等于3时,该噪声抑制单元至少依据第4级移位寄存器的输出控制该第一放电单元的操作。
2.根据权利要求1所述的双向移位暂存装置,其特征在于,其中各该N级移位寄存器的该预充电单元还接收一顺向输入信号与一逆向输入信号,该双向移位暂存装置依据该顺向输入信号与该逆向输入信号,以一第一顺序或相异于该第一顺序的一第二顺序序列地输出该些扫描信号。
3.根据权利要求2所述的双向移位暂存装置,其特征在于,其中第i级移位寄存器的该预充电单元包括:
一第一晶体管,其栅极接收第(i-2)级移位寄存器所输出的该扫描信号,其第一源漏极接收该顺向输入信号,且其第二源漏极输出该预充电信号;以及
一第二晶体管,其栅极接收第(i+2)级移位寄存器所输出的该扫描信号,其第一源漏极耦接该第一晶体管的第二源漏极,且其第二源漏极接收该逆向输入信号。
4.根据权利要求3所述的双向移位暂存装置,其特征在于,其中第i级移位寄存器的该上拉单元包括:
一第三晶体管,其栅极接收该预充电信号,其第一源漏极接收该第一输入时钟信号,且其第二源漏极输出该扫描信号:以及
一第一电容,其第一端耦接该第三晶体管的栅极,且其第二端耦接该第三晶体管的第二源漏极。
5.根据权利要求4所述的双向移位暂存装置,其特征在于,其中第i级移位寄存器的该第一放电单元包括:
一第二电容,其第一端接收该第二输入时钟信号;
一第四晶体管,其栅极耦接该第一晶体管的第二源漏极与该第二晶体管的第一源漏极以接收该预充电信号,其第一源漏极耦接该第二电容的第二端,且其第二源漏极耦接该参考电位;
一第五晶体管,其栅极耦接该第二电容的第二端与该第四晶体管的第一源漏极,其第一源漏极耦接该第四晶体管的栅极,且其第二源漏极耦接该参考电位;以及
一第六晶体管,其栅极耦接该第二电容的第二端与该第四晶体管的第一源漏极,其第一源漏极耦接该第三晶体管的第二源漏极,且其第二源漏极耦接该参考电位。
6.根据权利要求5所述的双向移位暂存装置,其特征在于,其中第i级移位寄存器的该第二放电单元包括:
一第三电容,其第一端接收该第一输入时钟信号;
一第七晶体管,其栅极耦接该第一晶体管的第二源漏极与该第二晶体管的第一源漏极以接收该预充电信号,其第一源漏极耦接该第三电容的第二端,且其第二源漏极耦接该参考电位;
一第八晶体管,其栅极耦接该第三电容的第二端与该第七晶体管的第二源漏极,其第一源漏极耦接该第七晶体管的栅极,且其第二源漏极耦接该参考电位;以及
一第九晶体管,其栅极耦接该第三电容的第二端与该第七晶体管的第二源漏极,其第一源漏极耦接该第三晶体管的第二源漏极,且其第二源漏极耦接该参考电位。
7.根据权利要求6所述的双向移位暂存装置,其特征在于,其中第i级移位寄存器的该噪声抑制单元包括:
一第十晶体管,其栅极接收第(i-3)级移位寄存器所输出的该扫描信号,其第一源漏极耦接该第四晶体管的第一源漏极以及该第五与该第六晶体管的栅极,且其第二源漏极耦接该参考电位;以及
一第十一晶体管,其栅极接收第(i+1)级移位寄存器所输出的该扫描信号,其第一源漏极耦接该第四与该第十晶体管的第一源漏极以该第五与该第六晶体管的栅极,且其第二源漏极耦接该参考电位。
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