[发明专利]一种单晶AIN纳米锥和纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种单晶AIN纳米锥和纳米片的制备方法，其特征在于包括下述工艺步骤：

①在硅基片上沉积一薄层铝粉：用去离子水或乙醇对硅基片进行超声清洗，把铝粉放入装有乙醇的烧杯中进行超声振荡15-30分钟，然后将硅基片放入烧杯里，自然风干后得到沉积一薄层铝粉的硅基片；

②将0.3 g纯度为99.999%的商业Al粉均匀平铺到自制钼舟中，沉积有铝粉的硅片作生长衬底扣置于钼舟的正上方5~6 mm处，沉积的铝层朝下，将钼舟放入石英试管中，再将装有钼舟的石英试管置于水平石英管式炉的反应区，密闭真空系统后开始抽真空，当真空系统的真空度低于≤5帕时，通入流量为500 sccm氩气对系统进行洗气，20分钟后关闭氩气流量，对系统进行加热，升温速率为80-85℃/min，当炉温达到850℃时通入流量为100 sccm的氨气和氩气，当温度达到900℃时氨气和氩气流量为50sccm，保持1.5-2小时，最后停止加热，当温度降至680℃时关闭氨气流量，同时在氩气的保护气氛下自然冷却到室温；冷却后取出硅片，在硅片的沉积表面收集到淡黄色的物质，在钼舟表面收集到灰白色的物质，即得。

2.根据权利要求1所述的一种单晶AIN纳米锥和纳米片的制备方法，其特征在于上述石英试管直径20mm，长150mm；

上述水平石英管式炉的石英管直径80mm，恒温区长度为34.5cm，用质量流量计控制气体流量。