[发明专利]一种电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201310087975.8 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN103147105A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 钟绵增;吴宗泽;孟秀清;李庆跃;李凯;李京波 申请(专利权)人: 黄山市东晶光电科技有限公司
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04
代理公司: 金华科源专利事务所有限公司 33103 代理人: 胡杰平
地址: 245000 安徽省黄山市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 电化学 制备 zn sub sb 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法,其特征在于,包含以下步骤:

步骤A:利用化学清洗剂将ITO玻璃清洗干净,作为工作电极;

步骤B:将SbCl3和Zn(NO32·6H2O(或ZnCl2)分别溶解在有机溶剂中,并将溶解后的两溶液混合,使SbCl3:Zn(NO32·6H2O的范围介于1:1-1:4;

步骤C:利用Pt片作为对电极,饱和氯化银电极作为参比电极,用焊接有铜导线的ITO玻璃作为工作电极,连接好设备进行电化学沉积;

步骤D:将沉积好的薄膜用清洗液清洗并用氮气吹干,得到Zn4Sb3薄膜。

2.根据权利要求1所述的电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法,其特征在于:步骤B中的原料Zn(NO32·6H2O用ZnCl2代替。

3.根据权利要求1或2所述的电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法,其特征在于:步骤B中的有机溶剂为N,N-二甲基乙酰胺和二甲基亚砜。

4.根据权利要求1或2所述的电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法,其特征在于:步骤C中的设备为电化学工作站。

5.根据权利要求4所述的电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法,其特征在于:步骤C中的沉积电位为-1.2V到1.8V之间。

6.根据权利要求1或2所述的电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法,其特征在于:步骤D中的清洗液为二甲基亚砜和乙醇。

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