[发明专利]评价引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命的方法

权利要求书

1.一种评价引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在筛选合格的采用引线键合气密性封装的模拟集成电路中抽取≥600只的电路样品，给每只电路样品编号，依据产品详细规范对每只电路样品进行全参数测试，记录被测电路样品的全部电参数值，随机分为≥13组；

（2）取其中一组电路样品，测试电路样品封装内部的水汽含量，计算出电路样品封装内部的相对湿度，再计算出此组电路样品封装内部相对湿度的平均值，以此封装内部相对湿度平均值作为实际贮存条件下气密性封装模拟集成电路封装内部相对湿度值；

（3）将完成步骤（2）之后的电路样品开盖，测试电路样品内部连接芯片的键合丝键合强度，计算出键合丝键合强度的平均值，以此作为实际贮存条件下气密性封装模拟集成电路键合丝的键合强度值；

（4）随机选取一组电路样品，分别在不同的温度下进行恒定温度高温贮存加速试验、不同的温度与湿度组合下进行恒定湿热加速试验、不同的温度循环条件下进行温度循环加速试验，其中，进行恒定湿热加速试验的电路样品应先开盖，通过摸底试验，确定合适的较高加速应力条件和电路的敏感参数；

（5）随机选择≥11组的电路样品，在步骤（4）确定的合适的较高加速应力条件下分别进行恒定高温、恒定湿热和温度循环加速贮存试验，每间隔500～1000小时，检测电路样品的漏率，对漏率合格的电路样品测试，记录贮存后电路样品的敏感电参数值，在敏感电参数合格的电路样品中，抽取1～2只电路样品，测试其键合丝的键合强度值；

（6）试验结束后，利用寿命分布图示法对试验数据进行分析，分别确定电路样品敏感电参数和键合丝键合强度退化的寿命分布类型，采用极大似然法对寿命分布函数的参数进行拟合，分别得到它们的寿命分布函数；

（7）根据步骤（6）得到的寿命分布函数，分别计算电路样品的敏感电参数和键合丝键合强度退化的平均寿命；

（8）根据不同应力等级条件下电路样品的电参数和键合丝键合强度退化的平均寿命，分别计算确定加速模型的模型参数，并以此计算电路样品的加速因子；

（9）根据步骤（7）和步骤（8）的结果，推算出电路样品在实际贮存条件下的贮存寿命。

2.根据权利要求1所述的引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法，其特征在于，所述步骤（1）中的电路样品，严格按照产品详细规范，从同一批合格产品中抽取。

3.根据权利要求1所述的引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法，其特征在于，所述步骤（3）中，实际贮存条件下气密性封装模拟集成电路键合丝的键合强度值，是采用一组电路样品中所有键合丝键合强度的平均值。

4.根据权利要求1所述的引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法，其特征在于，所述步骤（4）中，电路样品的敏感电参数为电参数的退化速率与其规范值端点极差值的比值最大的电参数。

5.根据权利要求1所述的引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法，其特征在于，所述步骤（4）和（5）中，分别采用恒定高温应力加速寿命试验、恒定湿热加速寿命试验和温度循环加速寿命试验三类加速寿命试验，对引线键合气密性封装模拟集成电路的敏感电参数和贮存寿命进行评估，并采用敏感电参数及键合丝的键合强度退化寿命，来综合评价引线键合气密性封装模拟集成电路的贮存寿命。

6.根据权利要求1所述的引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法，其特征在于，所述步骤（4）和（5）中，进行恒定湿热加速寿命试验时，电路样品应先去除封盖。

7.根据权利要求1所述的引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法，其特征在于，所述步骤（5）中，采用恒定湿热加速试验，来评估封装内部水汽对引线键合气密性封装模拟集成电路寿命的影响。

8.根据权利要求1所述的引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法，其特征在于，所述步骤（5）中，每次敏感电参数测试前，先检测电路样品的漏率，漏率不合格的电路样品直接从试验中剔除，仅对漏率合格电路样品进行敏感电参数测试并记录。