[发明专利]载体清洗装置和载体清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种载体清洗装置和载体清洗方法。

背景技术

化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）是半导体制作工艺中制备薄膜材料的最成熟、操作最简单的一种方法。例如在太阳能电池的制造过程中，使用CVD工艺制备大面积且均匀性高的减反射薄膜。CVD设备中的载体用来承载硅片等基片进行工艺制作，例如，以等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）设备为例，PECVD设备一般分为管式PECVD设备和平板式PECVD设备，无论哪种PECVD设备都需要载体，其中，管式PECVD的载体为石墨舟或碳纤维舟，平板式PECVD设备的载体为石墨板或碳纤维板。在制作的过程中，载体上也会沉积一层氮化硅薄膜，随着长时间的生产，载体上的薄膜厚度会慢慢增加，当薄膜厚度较厚时就会脱落，脱落后的薄膜飘到硅片上会造成未镀膜片的产生，从而降低生产良率，因此需要定期清洗载体。

现有的载体清洗方法为，人工将载体放入酸洗槽中，倒入氢氟酸溶液进行清洗，酸液清洗之后，将载体放入另外的清洗槽中，注入纯水（去离子水）进行清洗，之后将载体取出烘干。然而，由于清洗过程中由人工配氢氟酸HF溶液以及人工在酸洗槽和清洗槽中将载体搬入和搬出，容易使皮肤接触氢氟酸溶液，从而造成人身危害。

发明内容

本发明提供一种载体清洗装置和载体清洗方法，避免了载体清洗过程中人员直接接触氢氟酸，降低了安全隐患的风险。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一方面，提供一种载体清洗装置，用于CVD设备中载体的清洗，包括：

清洗槽，所述清洗槽中设置有鼓泡机构和喷淋机构；

加热水箱，通过管道连接于所述清洗槽；

酸液回收槽，通过管道连接于所述清洗槽。

具体地，还包括：

磁力泵，所述清洗槽通过管道连接于所述磁力泵的第一端，所述加热水箱和酸液回收槽分别通过管道连接于所述磁力泵的第二端；

所述清洗槽与磁力泵之间的管道设置有第一隔膜阀，所述加热水箱与所述磁力泵之间的管道设置有第二隔膜阀，所述酸液回收槽与所述磁力泵之间的管道设置有第三隔膜阀。

具体地，还包括：原液桶，通过管道连接于所述酸液回收槽或清洗槽。

具体地，还包括：用于放置所述原液桶的滚轮组结构。

具体地，还包括：箱体结构，所述清洗槽、加热水箱和酸液回收槽位于所述箱体结构内，所述箱体结构上部设置有观察窗和/或排风机构。

具体地，所述清洗槽中设置有载体清洗花篮。

具体地，所述清洗槽中设置有液位传感器。

具体地，所述CVD设备是PECVD设备。

具体地，所述载体是石墨载体或者碳纤维载体。

另一方面，提供一种基于上述载体清洗装置的载体清洗方法，包括：

加热水箱将加热后的纯水注入清洗槽；

清洗槽中进行氮气鼓泡对载体进行清洗；

排放清洗槽中的废水；

向清洗槽中注入氢氟酸溶液对载体进行浸泡；

清洗槽中的氢氟酸溶液排入酸液回收槽进行回收；

清洗槽中对载体进行纯水喷淋；

加热水箱将加热后的纯水注入清洗槽；

清洗槽中进行氮气鼓泡对载体进行清洗；

排放清洗槽中的废水。

具体地，所述向清洗槽中注入氢氟酸溶液对载体进行浸泡的过程中，所述氢氟酸溶液来自于原液桶或者酸液回收槽。

本发明提供的载体清洗装置和载体清洗方法，可以实现自动清洗CVD设备中的载体，避免了现有技术载体清洗过程中人员直接接触氢氟酸，降低了安全隐患的风险。并且通过一个清洗槽完成了整个载体清洗的步骤，提高了工作效率，实现了酸液的重复利用，降低了成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为本发明实施例中一种载体清洗装置的结构示意图；

图2为本发明实施例中一种载体清洗方法的流程图；

图3为本发明实施例中清洗槽与加热水箱和酸液回收槽之间管道结构示意图；

图4为本发明实施例中另一种载体清洗装置的结构的俯视图；

图5为图4的左视图。

具体实施方式