[发明专利]电子束曝光方法有效
| 申请号： | 201310076889.7 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103135367A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 侯克玉;王逸群;姜春宇;王德稳;周震华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 方法 | ||
1.一种电子束曝光方法，其特征在于，包括：
s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；
s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；
s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；
s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳米尺寸的曝光图形；
s5、用顶层电子束抗蚀剂做掩膜刻蚀金属层及底层电子束抗蚀剂，将曝光图形转移到待加工样品上，
所述的待加工样品为绝缘材料或低电导率的材料，所述的低电导率材料的电导率为
10-18s/m~10-13s/m。
2.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述的底层电子束抗蚀剂和顶层电子束抗蚀剂选自PMMA、ZEP520或HSQ。
3.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述底层电子束抗蚀剂的温度耐受性不低于顶层电子束抗蚀剂的温度耐受性。
4.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述金属层的厚度为5~500nm。
5.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述的金属层是通过溅射或蒸发的方式获得。
6.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述的金属层的刻蚀采用离子束刻蚀。
7.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述的底层电子束抗蚀剂采用反应离子刻蚀。
8.根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述步骤s5中，图形转移可采用剥离工艺或干法刻蚀刻蚀工艺获得。
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