[发明专利]一种柔性电子器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310073718.9 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103151306A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张其国;黄成沛;黄初旺 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 电子器件 制备 方法 | ||
1.一种柔性电子器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
于一硬质衬底上制备一分离层，且所述分离层部分覆盖所述硬质衬底的上表面；
沉积无机膜覆盖所述分离层的侧壁及其上表面，且所述无机膜还覆盖暴露的所述硬质衬底的上表面；
涂布塑料基板的前驱体覆盖所述无机膜的侧壁及其上表面，且部分覆盖暴露的所述硬质衬底的上表面，固化后形成显示器件衬底；
于所述显示器件衬底的上表面制备电子元件。
2.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备所述无机膜。
3.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，在小于200℃的温度条件下，采用以硅烷为主的混合气体，利用等离子体激发功率快速制备所述无机膜。
4.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述无机膜的厚度小于300nm。
5.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述无机膜的材质为非晶硅或氮化硅。
6.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述分离层与所述硬质衬底之间的粘结力小于一预设值。
7.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述无机膜的上表面是粗糙的。
8.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述分离层为双面胶材。
9.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述无机膜的上表面的表面粗糙度大于或等于Rz0.2μm且小于或等于Rz3μm。
10.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制备方法，其特征在于，所述硬质衬底的材质为玻璃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
