[发明专利]一种二极管及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310073585.5 申请日: 2013-03-07
公开(公告)号: CN103151468A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 李金川 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 二极管 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种二极管,其特征在于,包括:

复合阳极,所述复合阳极包括透明阳极层和第一透明金属层,所述第一透明金属层形成于所述透明阳极层之上;

透明金属氧化物层,所述透明金属氧化物层形成于所述第一透明金属层之上;

主体结构层,所述主体结构层形成于所述透明金属氧化物层之上;

复合阴极,所述复合阴极包括两层第二透明金属层,所述两层第二透明金属层形成于所述主体结构层之上。

2.根据权利要求1所述的二极管,其特征在于,

所述复合阴极还包括一层不透明金属层,所述不透明金属层形成于所述第二透明金属层的至少一条边缘上,所述不透明金属层的面积小于所述第二透明金属层面积的五分之一。

3.根据权利要求2所述的二极管,其特征在于,

所述二极管还包括增透膜层,所述增透膜层形成于所述不透明金属层之上。

4.根据权利要求3所述的二极管,其特征在于,

所述二极管还包括阻隔层,所述阻隔层形成于所述增透膜层之上,所述阻隔层为阻隔水氧的膜层。

5.根据权利要求1所述的二极管,其特征在于,

所述主体结构层包括依次形成于所述透明金属氧化物层之上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。

6.根据权利要求1所述的二极管,其特征在于,

所述第一透明金属层是厚度为5-10nm的金或银金属层。

7.根据权利要求1所述的二极管,其特征在于,

所述透明金属氧化物层的厚度为1-5nm,所述金属氧化物的功函数与所述二极管的电子注入层材料的最高已占轨道值的差值为0~1eV。

8.根据权利要求7所述的二极管,其特征在于,

所述金属氧化物的功函数与所述二极管的电子注入层材料的最高已占轨道值的差值为0eV。

9.根据权利要求2所述的二极管,其特征在于,

所述两层第二透明金属层分别是厚度为5-15nm的镁金属层和镁、银金属层,所述不透明金属层是厚度为50-10nm的铝金属层。

10.根据权利要求4所述的二极管,其特征在于,

所述阻隔层包括一个第三透明金属层与两个薄膜层,所述第三透明金属层形成于所述两个薄膜层之间。

11.根据权利要求9所述的二极管,其特征在于,

所述两个薄膜层是厚度为10-60nm的8-羟基喹啉锂的膜层,所述第三透明金属层是厚度为1-10nm的铝金属层。

12.根据权利要求3所述的二极管,其特征在于,

所述增透膜层的材料为用作所述二极管的空穴传输层材料或电子传输层材料。

13.根据权利要求12所述的二极管,其特征在于,

所述增透膜层是厚度为10-80nm的正溴丙烷层。

14.一种显示装置,包括权利要求1-13任一项所述的二极管以及盖板。

15.一种二极管的制作方法,其特征在于,包括:

在玻璃基板上蒸镀一层透明阳极层,在所述透明阳极之上蒸镀一第一透明金属层,所述透明阳极层、所述第一透明金属层构成一个复合阳极;

在所第一透明金属层上蒸镀一层透明金属氧化物层;

在所述透明金属氧化物层上蒸镀主体机构层;

在所述主体结构层上先后蒸镀两层第二透明金属层。

16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,

所述在所述主体结构层上先后蒸镀两层第二透明金属层的步骤之后,还包括:在所述第二透明金属层的至少一条边缘之上蒸镀一层不透明金属层,所述不透明金属层的面积小于所述第二透明金属层面积的五分之一。

17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,

所述在所述第二透明金属层的至少一条边缘之上蒸镀一层不透明金属层的步骤之后,还包括:在所述不透明金属层之上蒸镀一层增透膜层。

18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,

所述在所述不透明金属层之上蒸镀一层增透膜层的步骤之后,还包括:在所述增透膜层之上覆盖阻隔层,所述阻隔层为阻隔水氧的膜层。

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