[发明专利]一种高温光栅的制作及转移方法有效
| 申请号: | 201310070717.9 | 申请日: | 2013-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN103149614A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
| 发明(设计)人: | 谢惠民;王怀喜;戴相录 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
| 地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高温 光栅 制作 转移 方法 | ||
1.一种高温光栅的制作及转移方法,其特征在于该方法包括如下步骤:
1)在硬基体上均匀涂覆一层正胶光刻胶,将硬基体放入全息制栅光路中进行曝光,然后进行显影形成全息光栅;
2)通过电铸技术直接在硬基体全息光栅上电铸,脱膜制得电铸全息光栅模板;
3)取另一硬基体,在该硬基体上涂覆纳米热压印光刻胶,然后放入热压印平台上,再将电铸全息光栅模板放在涂有纳米热压印光刻胶的硬基体上,设定压印温度范围110℃~130℃,压力范围35MPa~45MPa,然后进行热压印,在硬基体表面得到全息光栅;
4)将表面含有全息光栅的硬基体放入真空蒸镀机内进行蒸镀,在光栅表面形成高温光栅金属膜;
5)试样表面用砂纸进行粗抛,将高温粘结剂涂在试样表面,然后将高温光栅金属膜粘接在试样表面,放入高温炉内高温固化,升温速率2℃/分~3℃/分,升温到170℃恒温时间为3~4小时,然后自然冷却;所述的高温粘结剂采用聚硅氮烷和碳化硼粉的混合物;
6)将硬基体从试件上剥离,高温光栅金属膜直接转移到试样表面。
2.按照权利要求1所述的一种高温光栅的制作及转移方法,其特征在于:所述的聚硅氮烷和碳化硼粉的混合物的质量比为1:2。
3.按照权利要求1所述的一种高温光栅的制作及转移方法,其特征在于:所述的纳米热压印光刻胶为SU-8光刻胶。
4.按照权利要求1所述的一种高温光栅的制作及转移方法,其特征在于:所述的硬基体为玻璃或硅片。
5.按照权利要求1~4任一权利要求所述的一种高温光栅的制作及转移方法,其特征在于:所述的高温光栅金属膜为铬膜。
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