[发明专利]开关元件驱动电路有效

专利信息
申请号: 201310068423.2 申请日: 2013-03-05
公开(公告)号: CN103312186A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 桑原靖;斋藤胜彦;福田雅裕 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M5/44 分类号: H02M5/44;H02M1/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 开关 元件 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种开关元件驱动电路,其特征在于,构成为能够应用于电力转换装置,并具有开关元件和控制该开关元件的动作的控制部,

所述控制部具备驱动电压控制部,该驱动电压控制部构成为能够基于电源电流使所述开关元件的开关速度可变。

2.根据权利要求1所述的开关元件驱动电路,其特征在于,

所述驱动电压控制部针对每个载波周期使所述开关速度可变。

3.根据权利要求1所述的开关元件驱动电路,其特征在于,

所述驱动电压控制部根据电源相位使所述开关速度可变。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的开关元件驱动电路,其特征在于,

所述驱动电压控制部在针对每个载波周期使所述开关速度可变时,在所述电源电流小于第一阈值时抑制开关速度,在所述电源电流大于或等于所述第一阈值、且小于比所述第一阈值大的第二阈值时,提高开关速度,在所述电源电流大于或等于所述第二阈值时进一步提高开关速度。

5.根据权利要求1~3中的任一项所述的开关元件驱动电路,其特征在于,

所述开关元件由宽带隙半导体形成。

6.根据权利要求5所述的开关元件驱动电路,其特征在于,

所述宽带隙半导体由碳化硅、氮化镓或金刚石生成。

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